Mabilis na umuunlad at umuunlad ang teknolohiya ng mabilis na pag-charge, bilang isang pangunahing bahagi ng modernong elektronikong kagamitan. Hinihimok ng merkado ng mabilis na pag-charge, ang mga industriya tulad ng mga smartphone at de-koryenteng sasakyan ay lalong humihiling ng mabilis at mahusay na mga solusyon sa pag-charge. Ang inobasyon sa teknolohiya ng mabilis na pag-charge ay hindi lamang nakatuon sa pagpapabuti ng bilis ng pag-charge, ngunit binibigyang-diin din ang kaligtasan. Sa pagtingin sa hinaharap, ang teknolohiya ng mabilis na pag-charge ay isasama sa wireless charging at mas mahusay na teknolohiya ng baterya upang makamit ang isang husay na paglukso at magdala sa mga user ng isang mas maginhawa at environment friendly na karanasan sa pag-charge. Sa pag-unlad ng teknolohiya at pagpapalawak ng merkado, ang industriya ng mabilis na pagsingil ay inaasahang patuloy na mapanatili ang mabilis na paglago.
Kapag pinag-uusapan natin ang aplikasyon ngMOSFETsa teknolohiya ng mabilis na pag-charge, talagang maraming sakit ng ulo.
Una sa lahat, dahil ang mabilis na pagsingil ay nangangailangan ng isang malaking kasalukuyang, angMOSFETay mag-iinit nang husto, at kung paano haharapin ang init na ito ay nagiging isang malaking problema. Pagkatapos, mayroon ding mga hamon sa kahusayan. Kapag mabilis na lumipat, ang MOSFET ay madaling nawawalan ng bahagi ng enerhiya nito, na nakakaapekto sa kahusayan sa pagsingil. Bilang karagdagan, ang mga kagamitan sa mabilis na pagsingil ay umaasa na maging kasing liit hangga't maaari, ngunit nangangailangan ito ng MOSFET na maging maliit at upang harapin ang problema sa init. Dahil mabilis lumipat ang MOSFET, maaari itong makagambala sa iba pang elektronikong kagamitan, na isa ring problema. Sa wakas, ang kapaligiran ng mabilis na pagsingil ay may mataas na mga kinakailangan sa makatiis na boltahe at kasalukuyang ng mga MOSFET, na isang pagsubok para sa kanilang pagganap. Ang pagtatrabaho sa ganitong kapaligiran sa loob ng mahabang panahon ay maaari ring makaapekto sa kanilang buhay ng serbisyo at pagiging maaasahan. Sa madaling salita, bagama't ang MOSFET ay kritikal para sa mabilis na pag-charge, nahaharap ito sa maraming hamon.
WINSOKMaaaring matulungan ka ng MOSFET na malutas ang mga problema sa itaas. Ang mga pangunahing modelo ng application ng WINSOK MOSFET sa mabilis na pagsingil ay:
| Numero ng bahagi | Configuration | Uri | VDS | ID (A) | VGS(ika)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Package | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Walang asawa | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Walang asawa | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Walang asawa | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Walang asawa | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Walang asawa | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Walang asawa | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Walang asawa | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Ang iba pang mga numero ng materyal ng tatak na tumutugma sa WINSOK MOSFET sa itaas ay:
Ang mga katumbas na numero ng materyal ng WINSOK MOSFET WSD3050DN ay:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4934CSN0000000 8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Ang mga katumbas na numero ng materyal ng WINSOK MOSFET WSD30L40DN ay:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1503EEAPE.BA
Ang mga katumbas na numero ng materyal ng WINSOK MOSFET WSP6020 ay:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904
Ang mga katumbas na numero ng materyal ng WINSOK MOSFET WSP16N10 ay:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Ang mga katumbas na numero ng materyal ng WINSOK MOSFET WSP4435 ay:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,ADSO4801F Z,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM44357,DTM44357
Ang mga katumbas na numero ng materyal ng WINSOK MOSFET WSP4407 ay:AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P6HLL,STS36HLL H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Ang mga katumbas na numero ng materyal ng WINSOK MOSFET WSP4606 ay:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.J0958A.JJ4SAYPAN 1CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Ang mga katumbas na numero ng materyal ng WINSOK MOSFET WSR80N10 ay:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N08 G.N10N08 G. TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Oras ng post: Nob-28-2023
