WSD20100DN56 N-channel 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Pangkalahatang-ideya ng produkto ng WINSOK MOSFET
Ang boltahe ng WSD20100DN56 MOSFET ay 20V, ang kasalukuyang ay 90A, ang resistensya ay 1.6mΩ, ang channel ay N-channel, at ang package ay DFN5X6-8.
Mga lugar ng aplikasyon ng WINSOK MOSFET
Mga elektronikong sigarilyo MOSFET, drone MOSFET, mga de-koryenteng kasangkapan MOSFET, fascia gun MOSFET, PD MOSFET, maliliit na kasangkapan sa bahay MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET ay tumutugma sa iba pang mga numero ng materyal ng tatak
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
Mga parameter ng MOSFET
| Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
| VDS | Drain-Source Voltage | 20 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Tuloy-tuloy na Agos ng Drain1 | 90 | A |
| ID@TC=100 ℃ | Tuloy-tuloy na Agos ng Drain1 | 48 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | 270 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 80 | mJ |
| IAS | Kasalukuyang Avalanche | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Kabuuang Power Dissipation4 | 83 | W |
| TSTG | Saklaw ng Temperatura ng Imbakan | -55 hanggang 150 | ℃ |
| TJ | Saklaw ng Temperatura ng Operating Junction | -55 hanggang 150 | ℃ |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1(Steady State) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Thermal Resistance Junction-case1 | 1.5 | ℃/W |
| Simbolo | Parameter | Mga kundisyon | Min | Typ | Max | Yunit |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(ika) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS , ID =250uA | 0.5 | 0.68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4.5V , ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=2.5V , ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V , VGS=0V , TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±10V , VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Paglaban sa Gate | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Kabuuang Gate Charge (10V) | VDS=15V , VGS=10V , ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 14 | --- | ||
| Td(on) | Oras ng Pagkaantala sa Pag-on | VDD=15V , VGS=10V , RG=3 , ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Oras ng Pagbangon | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(off) | Oras ng Pagkaantala ng Turn-Off | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Panahon ng Taglagas | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Kapasidad ng Input | VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Kapasidad ng Output | --- | 501 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 321 | --- | ||
| IS | Patuloy na Pinagmulan ng Kasalukuyang1,5 | VG=VD=0V , Force Current | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diode Forward Voltage2 | VGS=0V , IS=1A , TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Baliktad na Oras ng Pagbawi | IF=20A , di/dt=100A/µs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Baliktarin ang Bayad sa Pagbawi | --- | 72 | --- | nC |
