WSD25280DN56G N-channel 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSD25280DN56G N-channel 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Maikling Paglalarawan:

Numero ng Bahagi:WSD25280DN56G

BVDSS:25V

ID:280A

RDSON:0.7mΩ 

Channel:N-channel

Package:DFN5X6-8


Detalye ng Produkto

Aplikasyon

Mga Tag ng Produkto

Pangkalahatang-ideya ng produkto ng WINSOK MOSFET

Ang boltahe ng WSD25280DN56G MOSFET ay 25V, ang kasalukuyang ay 280A, ang resistensya ay 0.7mΩ, ang channel ay N-channel, at ang package ay DFN5X6-8.

Mga lugar ng aplikasyon ng WINSOK MOSFET

High Frequency Point-of-Load SynchronousBuck ConverterNetworking DC-DC Power SystemApplication ng Power Tool,E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital products MOSFET, small household appliances MOSFET, consumer electronics MOSFET.

Ang WINSOK MOSFET ay tumutugma sa iba pang mga numero ng materyal ng tatak

Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.

Mga parameter ng MOSFET

Simbolo

Parameter

Marka

Mga yunit

VDS

Drain-Source Voltage

25

V

VGS

Gate-Source Boltahe

±20

V

ID@TC=25

Patuloy na Agos ng DrainSilicon Limited1,7

280

A

ID@TC=70

Tuloy-tuloy na Drain Current(Silicon Limited1,7

190

A

IDM

Pulsed Drain Current2

600

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

1200

mJ

IAS

Kasalukuyang Avalanche

100

A

PD@TC=25

Kabuuang Power Dissipation4

83

W

TSTG

Saklaw ng Temperatura ng Imbakan

-55 hanggang 150

TJ

Saklaw ng Temperatura ng Operating Junction

-55 hanggang 150

 

Simbolo

Parameter

Mga kundisyon

Min.

Typ.

Max.

Yunit

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , akoD=250uA

25

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatura Coefficient Sanggunian sa 25, akoD=1mA

---

0.022

---

V/

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V , ID=20A

---

0.7

0.9 mΩ
VGS=4.5V , ID=20A

---

1.4

1.9

VGS(ika)

Gate Threshold Boltahe VGS=VDS, akoD=250uA

1.0

---

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatura Coefficient

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=20V , VGS=0V , TJ=25

---

---

1

uA

VDS=20V , VGS=0V , TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

mga gfs

Pasulong na Transconductance VDS=5V , ID=10A

---

40

---

S

Rg

Paglaban sa Gate VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Kabuuang Gate Charge (4.5V) VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A

---

72

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

18

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

24

---

Td(on)

Oras ng Pagkaantala sa Pag-on VDD=15V , VGEN=10V ,RG=1Ω, akoD=10A

---

33

---

ns

Tr

Rise Time

---

55

---

Td(off)

Oras ng Pagkaantala ng Turn-Off

---

62

---

Tf

Tag lagas

---

22

---

Ciss

Kapasidad ng Input VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz

---

7752

---

pF

Coss

Kapasidad ng Output

---

1120

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

650

---

 

 


  • Nakaraan:
  • Susunod:

  • Isulat ang iyong mensahe dito at ipadala ito sa amin