WSD40120DN56G N-channel 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSD40120DN56G N-channel 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

maikling paglalarawan:

Numero ng Bahagi:WSD40120DN56G

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1.4mΩ 

Channel:N-channel

Package:DFN5X6-8


Detalye ng Produkto

Aplikasyon

Mga Tag ng Produkto

Pangkalahatang-ideya ng produkto ng WINSOK MOSFET

Ang boltahe ng WSD40120DN56G MOSFET ay 40V, ang kasalukuyang ay 120A, ang resistensya ay 1.4mΩ, ang channel ay N-channel, at ang package ay DFN5X6-8.

Mga lugar ng aplikasyon ng WINSOK MOSFET

E-cigarettes MOSFET, wireless charging MOSFET, drone MOSFET, medical care MOSFET, car charger MOSFET, controllers MOSFET, digital products MOSFET, small household appliances MOSFET, consumer electronics MOSFET.

Ang WINSOK MOSFET ay tumutugma sa iba pang mga numero ng materyal ng tatak

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Mga parameter ng MOSFET

Simbolo

Parameter

Rating

Mga yunit

VDS

Drain-Source Voltage

40

V

VGS

Gate-Source Boltahe

±20

V

ID@TC=25

Patuloy na Agos ng Drain, VGS@ 10V1

120

A

ID@TC=100

Patuloy na Agos ng Drain, VGS@ 10V1

82

A

IDM

Pulsed Drain Current2

400

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

400

mJ

IAS

Kasalukuyang Avalanche

40

A

PD@TC=25

Kabuuang Power Dissipation4

125

W

TSTG

Saklaw ng Temperatura ng Imbakan

-55 hanggang 150

TJ

Saklaw ng Temperatura ng Operating Junction

-55 hanggang 150

 

Simbolo

Parameter

Mga kundisyon

Min.

Typ.

Max.

Yunit

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , akoD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatura Coefficient Sanggunian sa 25, akoD=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V , ID=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=4.5V , ID=20A

---

2.0

2.6

VGS(ika)

Gate Threshold Boltahe VGS=VDS, akoD=250uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatura Coefficient

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=32V , VGS=0V , TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V , VGS=0V , TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

mga gfs

Pasulong na Transconductance VDS=5V , ID=20A

---

53

---

S

Rg

Paglaban sa Gate VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Kabuuang Gate Charge (10V) VDS=15V , VGS=10V , ID=20A

---

45

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

12

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

18.5

---

Td(on)

Oras ng Pagkaantala sa Pag-on VDD=15V , VGEN=10V , RG=3.3Ω, akoD=20A ,RL=15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

Oras ng Pagbangon

---

9

---

Td(off)

Oras ng Pagkaantala ng Turn-Off

---

58.5

---

Tf

Panahon ng Taglagas

---

32

---

Ciss

Kapasidad ng Input VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz --- 3972 ---

pF

Coss

Kapasidad ng Output

---

1119 ---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

82

---

  • Nakaraan:
  • Susunod:

  • Isulat ang iyong mensahe dito at ipadala ito sa amin