WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

maikling paglalarawan:

Isa itong magnetic wireless power bank na awtomatikong kumikilala sa mga Apple phone at hindi nangangailangan ng pag-activate ng button. Pinagsasama nito ang 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC input at output na mga fast charging protocol. Ito ay isang wireless power bank na produkto na tugma sa Apple/Samsung mobile phone synchronous boost/step-down converters, Li battery charging management, digital tube power indication, magnetic wireless charging at iba pang function.

Numero ng Modelo:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7.8mΩ

ID:22A

Channel:Dual N-Channel

Package:DFN5*6-8

Summery ng Produkto:Ang boltahe ng WSD4098 MOSFET ay 40V, ang kasalukuyang ay22A, ang resistensya ay 7.8mΩ, ang channel ay Dual N-Channel, at ang package ay DFN5*6-8.

Mga Application:Mga e-cigarette, wireless charging, mga motor, drone, pangangalagang medikal, mga charger ng kotse, mga controller, mga digital na produkto, maliliit na appliances sa bahay, consumer electronics.

Magpadala ng email sa amin PDF

Detalye ng Produkto

Aplikasyon

Mga Tag ng Produkto

Pangkalahatang Paglalarawan

Ang WSD4098DN56 ay ang pinakamataas na pagganap na trench na Dual N-Ch MOSFET na may matinding mataas na densidad ng cell, na nagbibigay ng mahusay na RDSON at gate charge para sa karamihan ng mga synchronous buck converter application. Ang WSD4098DN56 ay nakakatugon sa RoHS at Green Product na kinakailangan na 100% EAS na garantisadong may ganap na pagiging maaasahan ng paggana na naaprubahan.

Mga tampok

Advanced na high cell density Trench technology,Super Low Gate Charge,Mahusay na pagbaba ng epekto ng CdV/dt,100% Garantisadong EAS, Available ang Green Device

Mga aplikasyon

High Frequency Point-of-Load Synchronous, Buck Converter para sa MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarette, wireless charging, mga motor, drone, pangangalagang medikal, charger ng kotse, controller, digital mga produkto, maliliit na gamit sa bahay, consumer electronics.

kaukulang numero ng materyal

AOS AON6884

Mahalagang mga parameter

Simbolo	Parameter		Rating	Yunit
Mga Karaniwang Rating
VDSS	Drain-Source Voltage		40	V
VGSS	Gate-Source Voltage		±20	V
TJ	Pinakamataas na Temperatura ng Junction		150	°C
TSTG	Saklaw ng Temperatura ng Imbakan		-55 hanggang 150	°C
IS	Diode Continuous Forward Current	TA=25°C	11.4	A
ID	Tuloy-tuloy na Agos ng Drain	TA=25°C	22	A
ID	Tuloy-tuloy na Agos ng Drain			A
		TA=70°C	22
DM ko b	Sinubukan ang Kasalukuyang Pulse Drain	TA=25°C	88	A
PD	Maximum Power Dissipation	T. =25°C	25	W
PD	Maximum Power Dissipation	TC=70°C	10	W
RqJL	Thermal Resistance-Junction to Lead	Steady State	5	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	t £10s	45	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	Steady State b	90	°C/W
AKO AS d	Avalanche Current, Single pulse	L=0.5mH	28	A
E AS d	Avalanche Energy, Single pulse	L=0.5mH	39.2	mJ

Simbolo	Parameter	Mga Kondisyon sa Pagsubok		Min.	Typ.	Max.	Yunit
Mga Static na Katangian
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(ika)	Gate Threshold Boltahe	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Gate Leakage Current	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) e	Drain-Source On-State Resistance	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Drain-Source On-State Resistance	VGS=4.5V, IDS=12 A		-	9.0	11	m W
Mga Katangian ng Diode
V SD e	Diode Forward Voltage	ISD=1A, VGS=0V		-	0.75	1.1	V
trr	Baliktad na Oras ng Pagbawi	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Baliktarin ang Bayad sa Pagbawi	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Dynamic na Katangian f
RG	Paglaban sa Gate	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Kapasidad ng Input	VGS=0V, VDS=20V, Dalas=1.0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Kapasidad ng Output			-	317	-
Crss	Reverse Transfer Capacitance			-	96	-
td(NAKA-ON)	I-on ang Oras ng Pagkaantala	VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	I-on ang Rise Time			-	8	-
td( NAKA-OFF)	I-off ang Oras ng Pagkaantala			-	30	-
tf	I-off ang Fall Time			-	21	-
Mga Katangian ng Gate Charge f
Qg	Kabuuang Gate Charge	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Kabuuang Gate Charge	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Threshold Gate Charge			-	2.6	-
Qgs	Gate-Source Charge			-	4.7	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-