WSD4280DN22 Dual P-channel -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Pangkalahatang-ideya ng produkto ng WINSOK MOSFET
Ang boltahe ng WSD4280DN22 MOSFET ay -15V, ang kasalukuyang ay -4.6A, ang resistensya ay 47mΩ, ang channel ay Dual P-channel, at ang package ay DFN2X2-6L.
Mga lugar ng aplikasyon ng WINSOK MOSFET
Bidirectional blocking switch; Mga application ng conversion ng DC-DC; Li-battery charging; E-cigarette MOSFET, wireless charging MOSFET, car charging MOSFET, controller MOSFET, digital product MOSFET, small household appliances MOSFET, consumer electronics MOSFET.
Ang WINSOK MOSFET ay tumutugma sa iba pang mga numero ng materyal ng tatak
PANJIT MOSFET PJQ2815
Mga parameter ng MOSFET
Simbolo | Parameter | Rating | Mga yunit |
VDS | Drain-Source Voltage | -15 | V |
VGS | Gate-Source Voltage | ±8 | V |
ID@Tc=25℃ | Patuloy na Agos ng Drain, VGS= -4.5V1 | -4.6 | A |
IDM | 300μS Pulsed Drain Current, (VGS=-4.5V) | -15 | A |
PD | Power Dissipation Derating sa itaas ng TA = 25°C (Tandaan 2) | 1.9 | W |
TSTG,TJ | Saklaw ng Temperatura ng Imbakan | -55 hanggang 150 | ℃ |
RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1 | 65 | ℃/W |
RθJC | Thermal Resistance Junction-Case1 | 50 | ℃/W |
Mga Katangian ng Elektrisidad (TJ=25 ℃, maliban kung iba ang nabanggit)
Simbolo | Parameter | Mga kundisyon | Min. | Typ. | Max. | Yunit |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V , akoD=-250uA | -15 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS Temperature Coefficient | Sanggunian sa 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4.5V , ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
VGS=-2.5V , ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
VGS=-1.8V , ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
VGS(ika) | Gate Threshold Boltahe | VGS=VDS, akoD=-250uA | -0.4 | -0.62 | -1.2 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperatura Coefficient | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-10V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-10V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±12V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
mga gfs | Pasulong na Transconductance | VDS=-5V , ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
Rg | Paglaban sa Gate | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
Qg | Kabuuang Gate Charge (-4.5V) | VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-4.6A | --- | 9.5 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.4 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.3 | --- | ||
Td(on) | Oras ng Pagkaantala sa Pag-on | VDD=-10V ,VGS=-4.5V , RG=1Ω ID=-3.9A, | --- | 15 | --- | ns |
Tr | Oras ng Pagbangon | --- | 16 | --- | ||
Td(off) | Oras ng Pagkaantala ng Turn-Off | --- | 30 | --- | ||
Tf | Panahon ng Taglagas | --- | 10 | --- | ||
Ciss | Kapasidad ng Input | VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
Coss | Kapasidad ng Output | --- | 98 | --- | ||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 96 | --- |