WSD60N12GDN56 N-channel 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSD60N12GDN56 N-channel 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Maikling Paglalarawan:

Numero ng Bahagi:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

ID:70A

RDSON:10mΩ

Channel:N-channel

Package:DFN5X6-8


Detalye ng Produkto

Aplikasyon

Mga Tag ng Produkto

Pangkalahatang-ideya ng produkto ng WINSOK MOSFET

Ang boltahe ng WSD60N12GDN56 MOSFET ay 120V, ang kasalukuyang ay 70A, ang resistensya ay 10mΩ, ang channel ay N-channel, at ang package ay DFN5X6-8.

Mga lugar ng aplikasyon ng WINSOK MOSFET

Medikal na kagamitan MOSFET, drone MOSFET, PD power supply MOSFET, LED power supply MOSFET, pang-industriya na kagamitan MOSFET.

MOSFET application fieldsWINSOK MOSFET ay tumutugma sa iba pang mga numero ng materyal ng tatak

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.

Mga parameter ng MOSFET

Simbolo

Parameter

Marka

Mga yunit

VDS

Drain-Source Voltage

120

V

VGS

Gate-Source Voltage

±20

V

ID@TC=25℃

Patuloy na Agos ng Drain

70

A

IDP

Pulsed Drain Current

150

A

EAS

Avalanche Energy, Single pulse

53.8

mJ

PD@TC=25℃

Kabuuang Power Dissipation

140

W

TSTG

Saklaw ng Temperatura ng Imbakan

-55 hanggang 150

TJ 

Saklaw ng Temperatura ng Operating Junction

-55 hanggang 150

 

Simbolo

Parameter

Mga kundisyon

Min.

Typ.

Max.

Yunit

BVDSS 

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , akoD=250uA

120

---

---

V

  Static Drain-Source On-Resistance VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS(ON)

VGS=4.5V,ID=10A.

---

18

25

VGS(ika)

Gate Threshold Boltahe VGS=VDS, akoD=250uA

1.2

---

2.5

V

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Kabuuang Gate Charge (10V) VDS=50V , VGS=10V , ID=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Gate-Source Charge

---

5.6

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

7.2

---

Td(on)

Oras ng Pagkaantala sa Pag-on VDD=50V , VGS=10V ,

RG=2Ω, akoD=25A

---

22

---

ns

Tr 

Rise Time

---

10

---

Td(off)

Oras ng Pagkaantala ng Turn-Off

---

85

---

Tf 

Tag lagas

---

112

---

Ciss 

Kapasidad ng Input VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz

---

2640

---

pF

Coss

Kapasidad ng Output

---

330

---

Crss 

Reverse Transfer Capacitance

---

11

---

IS 

Patuloy na Pinagmulan ng Kasalukuyang VG=VD=0V , Force Current

---

---

50

A

ISP

Pulsed Source Current

---

---

150

A

VSD

Diode Forward Voltage VGS=0V , akoS=12A , TJ=25℃

---

---

1.3

V

trr 

Baliktad na Oras ng Pagbawi IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃

---

62

---

nS

Qrr 

Baliktarin ang Bayad sa Pagbawi

---

135

---

nC

 


  • Nakaraan:
  • Susunod:

  • Isulat ang iyong mensahe dito at ipadala ito sa amin