WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mga produkto

WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

maikling paglalarawan:

Numero ng Bahagi:WSD80130DN56

BVDSS:80V

ID:130A

RDSON:2.7mΩ

Channel:N-channel

Package:DFN5X6-8


Detalye ng Produkto

Aplikasyon

Mga Tag ng Produkto

Pangkalahatang-ideya ng produkto ng WINSOK MOSFET

Ang boltahe ng WSD80130DN56 MOSFET ay 80V, ang kasalukuyang ay 130A, ang resistensya ay 2.7mΩ, ang channel ay N-channel, at ang package ay DFN5X6-8.

Mga lugar ng aplikasyon ng WINSOK MOSFET

Mga MOSFET ng drone, MOSFET ng mga motor, MOSFET na medikal, MOSFET ng mga power tool, MOSFET ng ESC.

Ang WINSOK MOSFET ay tumutugma sa iba pang mga numero ng materyal ng tatak

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

Mga parameter ng MOSFET

Simbolo

Parameter

Rating

Mga yunit

VDS

Drain-Source Voltage

80

V

VGS

Gate-Source Boltahe

±20

V

TJ

Pinakamataas na Temperatura ng Junction

150

°C

ID

Saklaw ng Temperatura ng Imbakan

-55 hanggang 150

°C

ID

Patuloy na Agos ng Drain, VGS=10V,TC=25°C

130

A

Patuloy na Agos ng Drain, VGS=10V,TC=70°C

89

A

IDM

Pulsed Drain Current ,TC=25°C

400

A

PD

Maximum Power Dissipation,TC=25°C

200

W

RqJC

Thermal Resistance-Junction to Case

1.25

°C

       

 

Simbolo

Parameter

Mga kundisyon

Min.

Typ.

Max.

Yunit

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , akoD=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperatura Coefficient Sanggunian sa 25, akoD=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V , ID=40A

---

2.7

3.6

mΩ

VGS(ika)

Gate Threshold Boltahe VGS=VDS, akoD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatura Coefficient

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=48V , VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V , VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Kabuuang Gate Charge (10V) VDS=30V , VGS=10V , ID=30A

---

48.6

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

17.5

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

10.4

---

Td(on)

Oras ng Pagkaantala sa Pag-on VDD=30V , VGS=10V ,

RG=2.5Ω, akoD=2A ,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Oras ng Pagbangon

---

10

---

Td(off)

Oras ng Pagkaantala ng Turn-Off

---

35

---

Tf

Panahon ng Taglagas

---

12

---

Ciss

Kapasidad ng Input VDS=25V , VGS=0V , f=1MHz

---

4150

---

pF

Coss

Kapasidad ng Output

---

471

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

20

---


  • Nakaraan:
  • Susunod:

  • Isulat ang iyong mensahe dito at ipadala ito sa amin