Paano gumagana ang mga MOSFET?

1, MOSFETpagpapakilala

FieldEffect Transistor abbreviation (FET)) pamagat na MOSFET. sa pamamagitan ng isang maliit na bilang ng mga carrier na lumahok sa pagpapadaloy ng init, na kilala rin bilang multi-pol transistor. Ito ay kabilang sa boltahe mastering type semi-superconductor na mekanismo. Mayroong mataas na resistensya sa output (10^8 ~ 10^9Ω), mababang ingay, mababang pagkonsumo ng kuryente, static na saklaw, madaling pagsamahin, walang pangalawang kababalaghan sa pagkasira, ang gawain ng seguro sa malawak na dagat at iba pang mga pakinabang, ay nagbago na ngayon ang bipolar transistor at power junction transistor ng malalakas na collaborator.

2, mga katangian ng MOSFET

1, MOSFET ay isang boltahe control device, ito sa pamamagitan ng VGS (gate source boltahe) control ID (drain DC);

2, ng MOSFETAng output DC pole ay maliit, kaya ang output resistance ay malaki.

3, ito ay ang application ng isang maliit na bilang ng mga carrier upang magsagawa ng init, kaya siya ay may isang mas mahusay na sukatan ng katatagan;

4, ito ay binubuo ng pagbabawas ng landas ng mga de-koryenteng pagbabawas koepisyent ay mas maliit kaysa sa triode ay binubuo ng pagbabawas ng landas ng pagbabawas koepisyent;

5, MOSFET anti-irradiation kakayahan;

6, dahil sa kawalan ng isang may sira na aktibidad ng pagpapakalat ng oligon na dulot ng nakakalat na mga particle ng ingay, kaya ang ingay ay mababa.

3, prinsipyo ng gawain ng MOSFET

ng MOSFEToperating prinsipyo sa isang pangungusap, ay "drain - source sa pagitan ng ID na dumadaloy sa pamamagitan ng channel para sa gate at ang channel sa pagitan ng pn junction na nabuo sa pamamagitan ng reverse bias ng gate boltahe master ID", upang maging tumpak, ang ID ay dumadaloy sa lapad ng path, iyon ay, ang channel cross-sectional area, ay ang pagbabago sa reverse bias ng pn junction, na gumagawa ng depletion layer Ang dahilan para sa pinalawig na variation control. Sa hindi puspos na dagat ng VGS=0, dahil ang pagpapalawak ng layer ng paglipat ay hindi masyadong malaki, ayon sa pagdaragdag ng magnetic field ng VDS sa pagitan ng drain-source, ang ilang mga electron sa pinagmumulan ng dagat ay hinila palayo ng alisan ng tubig, ibig sabihin, mayroong aktibidad ng DC ID mula sa alisan ng tubig hanggang sa pinagmulan. Ang katamtamang layer na pinalaki mula sa gate hanggang sa drain ay gumagawa ng isang buong katawan ng channel bilang isang uri ng pagharang, ID na puno. Tawagan ang form na ito bilang isang pinch-off. Sinasagisag ang layer ng paglipat sa channel ng isang buong sagabal, sa halip na maputol ang kapangyarihan ng DC.

Dahil walang libreng paggalaw ng mga electron at butas sa layer ng paglipat, mayroon itong halos mga insulating properties sa perpektong anyo, at mahirap para sa pangkalahatang kasalukuyang dumaloy. Ngunit pagkatapos ay ang electric field sa pagitan ng alisan ng tubig - source, sa katunayan, ang dalawang transition layer contact drain at gate pole malapit sa ibabang bahagi, dahil ang drift electric field pulls ang high-speed electron sa pamamagitan ng transition layer. Ang intensity ng drift field ay halos pare-pareho na gumagawa ng kapunuan ng ID scene.

Gumagamit ang circuit ng kumbinasyon ng isang pinahusay na P-channel MOSFET at isang pinahusay na N-channel MOSFET. Kapag ang input ay mababa, ang P-channel MOSFET ay nagsasagawa at ang output ay konektado sa positibong terminal ng power supply. Kapag ang input ay mataas, ang N-channel MOSFET ay nagsasagawa at ang output ay konektado sa power supply ground. Sa circuit na ito, ang P-channel MOSFET at ang N-channel MOSFET ay palaging gumagana sa magkasalungat na estado, na ang kanilang mga phase input at output ay binaligtad.