MOSFET Anti-Reverse Circuit

Una, ang pangunahing prinsipyo ng MOSFET anti-reverse circuit

MOSFET anti-reverse circuit gamit ang mga katangian ng paglipat ng MOSFET, sa pamamagitan ng pagkontrol sa boltahe ng gate (G) upang mapagtanto ang circuit on at off. Kapag ang polarity ng power supply ay tama, ang boltahe ng gate ay gumagawa ng MOSFET sa estado ng pagpapadaloy, ang kasalukuyang maaaring dumaloy nang normal; kapag ang polarity ng power supply ay nabaligtad, ang boltahe ng gate ay hindi maaaring gumawa ng pagpapadaloy ng MOSFET, kaya pinuputol ang circuit.

Pangalawa, ang tiyak na pagsasakatuparan ng MOSFET anti-reverse circuit

1. N-channel MOSFET anti-reverse circuit

Ang mga N-channel na MOSFET ay karaniwang ginagamit upang mapagtanto ang mga anti-reverse circuit. Sa circuit, ang pinagmulan (S) ng N-channel MOSFET ay konektado sa negatibong terminal ng load, ang drain (D) ay konektado sa positibong terminal ng power supply, at ang gate (G) ay konektado sa ang negatibong terminal ng power supply sa pamamagitan ng isang risistor o kinokontrol ng isang control circuit.

Pasulong na koneksyon: ang positibong terminal ng power supply ay konektado sa D, at ang negatibong terminal ay konektado sa S. Sa oras na ito, ang risistor ay nagbibigay ng gate source voltage (VGS) para sa MOSFET, at kapag ang VGS ay mas malaki kaysa sa threshold boltahe (Vth) ng MOSFET, ang MOSFET ay nagsasagawa, at ang kasalukuyang dumadaloy mula sa positibong terminal ng power supply patungo sa load sa pamamagitan ng MOSFET.

Kapag binaligtad: ang positibong terminal ng power supply ay konektado sa S, at ang negatibong terminal ay konektado sa D. Sa oras na ito, ang MOSFET ay nasa cutoff na estado at ang circuit ay nakadiskonekta upang maprotektahan ang load mula sa pinsala dahil ang boltahe ng gate ay hindi nakakabuo ng sapat na VGS para magawa ang MOSFET (maaaring mas mababa sa 0 ang VGS o mas mababa sa Vth).

2. Tungkulin ng mga Pantulong na Bahagi

Resistor: Ginagamit upang magbigay ng boltahe ng gate source para sa MOSFET at limitahan ang kasalukuyang gate upang maiwasan ang pagkasira ng overcurrent ng gate.

Voltage regulator: isang opsyonal na bahagi na ginagamit upang pigilan ang boltahe ng pinagmulan ng gate na maging masyadong mataas at masira ang MOSFET.

Parasitic Diode: Ang isang parasitic diode (body diode) ay umiiral sa loob ng MOSFET, ngunit ang epekto nito ay kadalasang binabalewala o iniiwasan ng disenyo ng circuit upang maiwasan ang masamang epekto nito sa mga anti-reverse circuit.

Pangatlo, ang mga pakinabang ng MOSFET anti-reverse circuit

Mababang pagkawala: MOSFET on-resistance ay maliit, ang on-resistance boltahe ay nabawasan, kaya ang circuit pagkawala ay maliit.

Mataas na pagiging maaasahan: ang anti-reverse function ay maaaring maisakatuparan sa pamamagitan ng isang simpleng disenyo ng circuit, at ang MOSFET mismo ay may mataas na antas ng pagiging maaasahan.

Kakayahang umangkop: maaaring pumili ng iba't ibang modelo ng MOSFET at disenyo ng circuit upang matugunan ang iba't ibang mga kinakailangan sa aplikasyon.

Mga pag-iingat

Sa disenyo ng MOSFET anti-reverse circuit, kailangan mong tiyakin na ang pagpili ng mga MOSFET upang matugunan ang mga kinakailangan sa aplikasyon, kabilang ang boltahe, kasalukuyang, bilis ng paglipat at iba pang mga parameter.

Kinakailangang isaalang-alang ang impluwensya ng iba pang mga bahagi sa circuit, tulad ng parasitic capacitance, parasitic inductance, atbp., upang maiwasan ang masamang epekto sa pagganap ng circuit.

Sa mga praktikal na aplikasyon, kinakailangan din ang sapat na pagsubok at pagpapatunay upang matiyak ang katatagan at pagiging maaasahan ng circuit.

Sa buod, ang MOSFET anti-reverse circuit ay isang simple, maaasahan at low-loss power supply protection scheme na malawakang ginagamit sa iba't ibang mga application na nangangailangan ng pag-iwas sa reverse power polarity.