Partikular na plano: isang high-power na MOSFET heat dissipation device, kabilang ang isang hollow structure na casing at isang circuit board. Ang circuit board ay nakaayos sa casing. Ang isang bilang ng mga side-by-side na MOSFET ay konektado sa magkabilang dulo ng circuit board sa pamamagitan ng mga pin. Kasama rin dito ang isang aparato para sa pag-compress ngMga MOSFET. Ang MOSFET ay ginawang malapit sa heat dissipation pressure block sa panloob na dingding ng casing. Ang heat dissipation pressure block ay may unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig na dumadaloy dito. Ang unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig ay patayo na nakaayos na may maramihang magkatabi na MOSFET. Ang gilid ng dingding ng pabahay ay binibigyan ng pangalawang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig na kahanay sa unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig, at ang pangalawang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig ay malapit sa kaukulang MOSFET. Ang heat dissipation pressure block ay binibigyan ng maraming sinulid na butas. Ang bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init ay nakakonekta nang maayos sa panloob na dingding ng pambalot sa pamamagitan ng mga turnilyo. Ang mga tornilyo ay inilalagay sa mga sinulid na butas ng bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init mula sa mga sinulid na butas sa gilid ng dingding ng pambalot. Ang panlabas na dingding ng pambalot ay binibigyan ng isang uka ng pagwawaldas ng init. Ang mga support bar ay ibinibigay sa magkabilang panig ng panloob na dingding ng pabahay upang suportahan ang circuit board. Kapag ang bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init ay nakakonekta nang maayos sa panloob na dingding ng pabahay, ang circuit board ay pinindot sa pagitan ng mga dingding sa gilid ng bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init at ng mga support bar. Mayroong isang insulating film sa pagitan ngMOSFETat ang panloob na dingding ng pambalot, at mayroong isang insulating film sa pagitan ng bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init at ng MOSFET. Ang gilid na dingding ng shell ay binibigyan ng heat dissipation pipe na patayo sa unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig. Ang isang dulo ng heat dissipation pipe ay binibigyan ng radiator, at ang kabilang dulo ay sarado. Ang radiator at ang heat dissipation pipe ay bumubuo ng isang closed inner cavity, at ang inner cavity ay binibigyan ng refrigerant. Kasama sa heat sink ang isang heat dissipation ring na nakakonekta nang maayos sa heat dissipation pipe at isang heat dissipation fin na nakakonekta sa heat dissipation ring; ang heat sink ay nakakonekta rin sa isang cooling fan.
Mga partikular na epekto: Taasan ang kahusayan sa pag-alis ng init ng MOSFET at pagbutihin ang buhay ng serbisyo ngMOSFET; pagbutihin ang epekto ng pagwawaldas ng init ng pambalot, pinapanatili ang temperatura sa loob ng pambalot na matatag; simpleng istraktura at madaling pag-install.
Ang paglalarawan sa itaas ay isang pangkalahatang-ideya lamang ng teknikal na solusyon ng kasalukuyang imbensyon. Upang mas malinaw na maunawaan ang mga teknikal na paraan ng kasalukuyang imbensyon, maaari itong ipatupad ayon sa mga nilalaman ng paglalarawan. Upang gawing mas malinaw at nauunawaan ang nasa itaas at iba pang mga bagay, mga tampok at pakinabang ng kasalukuyang imbensyon, ang mga ginustong embodiment ay inilarawan nang detalyado sa ibaba kasama ang mga kasamang mga guhit.
Ang heat dissipation device ay may kasamang hollow structure casing 100 at isang circuit board 101. Ang circuit board 101 ay nakaayos sa casing 100. Ang isang bilang ng magkatabing MOSFET 102 ay konektado sa magkabilang dulo ng circuit board 101 sa pamamagitan ng mga pin. Kasama rin dito ang heat dissipation pressure block 103 para sa pag-compress ng MOSFET 102 upang ang MOSFET 102 ay malapit sa panloob na dingding ng housing 100. Ang heat dissipation pressure block 103 ay may unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig 104 na dumadaan dito. Ang unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig 104 ay patayong nakaayos na may ilang magkatabi na MOSFET 102.
Ang heat dissipation pressure block 103 ay pinindot ang MOSFET 102 laban sa panloob na dingding ng housing 100, at ang bahagi ng init ng MOSFET 102 ay isinasagawa sa housing 100. Ang isa pang bahagi ng init ay isinasagawa sa heat dissipation block 103, at ang pabahay 100 ay nagpapalabas ng init sa hangin. Ang init ng heat dissipation block 103 ay inaalis ng cooling water sa unang circulating water channel 104, na nagpapaganda sa heat dissipation effect ng MOSFET 102. Kasabay nito, bahagi ng init na nabuo ng iba pang mga bahagi sa housing Ang 100 ay isinasagawa din sa bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init 103. Samakatuwid, ang bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init 103 ay maaaring higit pang bawasan ang temperatura sa pabahay 100 at pagbutihin ang kahusayan sa pagtatrabaho at buhay ng serbisyo ng iba pang mga bahagi sa pabahay 100; Ang casing 100 ay may guwang na istraktura, kaya ang init ay hindi madaling maipon sa casing 100 , kaya pinipigilan ang circuit board 101 mula sa sobrang init at pagkasunog. Ang gilid na dingding ng housing 100 ay binibigyan ng pangalawang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig 105 na kahanay ng unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig 104, at ang pangalawang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig 105 ay malapit sa kaukulang MOSFET 102. Ang panlabas na dingding ng pabahay 100 ay binibigyan ng isang uka sa pagwawaldas ng init 108 . Ang init ng housing 100 ay pangunahing inalis sa pamamagitan ng paglamig ng tubig sa pangalawang circulating water channel 105 . Ang isa pang bahagi ng init ay nawawala sa pamamagitan ng heat dissipation groove 108, na nagpapabuti sa heat dissipation effect ng housing 100. Ang heat dissipation pressure block 103 ay binibigyan ng ilang sinulid na butas 107. Ang heat dissipation pressure block 103 ay nakakonekta nang maayos sa panloob na dingding ng pabahay 100 sa pamamagitan ng mga turnilyo. Ang mga tornilyo ay inilalagay sa mga sinulid na butas ng bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init 103 mula sa mga sinulid na butas sa mga dingding sa gilid ng pabahay 100.
Sa kasalukuyang imbensyon, isang piraso ng pagkonekta 109 ay umaabot mula sa gilid ng bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init 103. Ang piraso ng pagkonekta 109 ay binibigyan ng isang bilang ng mga sinulid na butas 107. Ang piraso ng pagkonekta 109 ay nakakonekta nang maayos sa panloob na dingding ng pabahay 100 sa pamamagitan ng mga turnilyo. Ang mga support bar 106 ay ibinibigay sa magkabilang gilid ng panloob na dingding ng housing 100 upang suportahan ang circuit board 101. Kapag ang heat dissipation pressure block 103 ay nakakonekta nang maayos sa panloob na dingding ng housing 100, ang circuit board 101 ay pinindot sa pagitan ng mga dingding sa gilid ng bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init 103 at ang mga bar ng suporta 106. Sa panahon ng pag-install, ang circuit board 101 ay unang inilagay sa ibabaw ng support bar 106, at ang ilalim ng bloke ng presyon ng pagwawaldas ng init 103 ay pinindot laban sa itaas na ibabaw. ng circuit board 101. Pagkatapos, ang heat dissipation pressure block 103 ay naayos sa panloob na dingding ng housing 100 na may mga turnilyo. Ang isang clamping groove ay nabuo sa pagitan ng heat dissipation pressure block 103 at ang support bar 106 upang i-clamp ang circuit board 101 upang mapadali ang pag-install at pagtanggal ng circuit board 101. Kasabay nito, ang circuit board 101 ay malapit sa heat dissipation bloke ng presyon 103 . Samakatuwid, ang init na nabuo ng circuit board 101 ay isinasagawa sa heat dissipation pressure block 103, at ang heat dissipation pressure block 103 ay dinadala ng cooling water sa unang circulating water channel 104, kaya pinipigilan ang circuit board 101 mula sa overheating at nasusunog. Mas mabuti, ang isang insulating film ay itatapon sa pagitan ng MOSFET 102 at ng panloob na dingding ng housing 100 , at ang isang insulating film ay itatapon sa pagitan ng heat dissipation pressure block 103 at ng MOSFET 102 .
Ang isang high-power na MOSFET heat dissipation device ay may kasamang hollow structure casing 200 at isang circuit board 202. Ang circuit board 202 ay nakaayos sa casing 200. Ang isang bilang ng side-by-side MOSFETs 202 ay konektado sa magkabilang dulo ng circuit board 202 sa pamamagitan ng mga pin, at kasama rin ang heat dissipation pressure block 203 para sa pag-compress ng MOSFETs 202 upang ang MOSFETs 202 ay malapit sa panloob na dingding ng housing 200 . Ang unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig 204 ay tumatakbo sa pamamagitan ng heat dissipation pressure block 203. Ang unang nagpapalipat-lipat na channel ng tubig 204 ay patayo na nakaayos na may ilang magkatabing MOSFET 202. Ang gilid na dingding ng shell ay binibigyan ng heat dissipation pipe 205 patayo sa ang unang circulating water channel 204, at ang isang dulo ng heat dissipation pipe 205 ay binibigyan ng heat dissipation body 206. Ang kabilang dulo ay sarado, at ang heat dissipation body 206 at ang heat dissipation pipe 205 ay bumubuo ng isang closed inner cavity, at ang nagpapalamig ay nakaayos sa inner cavity. Ang MOSFET 202 ay bumubuo ng init at nagpapasingaw sa nagpapalamig. Kapag umuusok, sinisipsip nito ang init mula sa dulo ng pag-init (malapit sa dulo ng MOSFET 202), at pagkatapos ay dumadaloy mula sa dulo ng pag-init hanggang sa dulo ng paglamig (palayo sa dulo ng MOSFET 202). Kapag nakatagpo ito ng malamig sa dulo ng paglamig, naglalabas ito ng init sa panlabas na paligid ng dingding ng tubo. Ang likido ay dumadaloy sa dulo ng pag-init, kaya bumubuo ng isang circuit ng pagwawaldas ng init. Ang pagwawaldas ng init na ito sa pamamagitan ng singaw at likido ay higit na mas mahusay kaysa sa pagwawaldas ng init ng mga nakasanayang konduktor ng init. Ang heat dissipation body 206 ay may kasamang heat dissipation ring 207 na nakakonekta nang maayos sa heat dissipation pipe 205 at isang heat dissipation fin 208 na nakakonekta sa heat dissipation ring 207; ang heat dissipation fin 208 ay nakakonekta rin sa isang cooling fan 209.
Ang heat dissipation ring 207 at ang heat dissipation pipe 205 ay may mahabang angkop na distansya, upang ang heat dissipation ring 207 ay mabilis na mailipat ang init sa heat dissipation pipe 205 sa heat sink 208 upang makamit ang mabilis na heat dissipation.
Oras ng post: Nob-08-2023
