Alam mo ba kung ano ang N-channel MOSFET?

I. Pangunahing istraktura at komposisyon

Ang isang N-channel na MOSFET ay binubuo ng mga sumusunod na pangunahing bahagi:

Gate:ang control terminal, sa pamamagitan ng pagpapalit ng boltahe ng gate upang makontrol ang conductive channel sa pagitan ng source at drain.· ·

 

Pinagmulan:Kasalukuyang pag-agos, karaniwang konektado sa negatibong bahagi ng circuit.· ·

 

Alisan ng tubig: kasalukuyang pag-agos, kadalasang konektado sa pagkarga ng circuit.

substrate:Kadalasan ay isang P-type na semiconductor na materyal, na ginagamit bilang substrate para sa mga MOSFET.

Insulator：Matatagpuan sa pagitan ng gate at ng channel, ito ay karaniwang gawa sa silicon dioxide (SiO2) at gumaganap bilang isang insulator.

II. Prinsipyo ng operasyon

Ang prinsipyo ng pagpapatakbo ng N-channel MOSFET ay batay sa epekto ng electric field, na nagpapatuloy tulad ng sumusunod:

Katayuan ng cut-off:Kapag ang boltahe ng gate (Vgs) ay mas mababa kaysa sa boltahe ng threshold (Vt), walang N-type na conducting channel ang nabuo sa P-type na substrate sa ibaba ng gate, at samakatuwid ay nasa lugar ang cut-off state sa pagitan ng source at drain. at hindi dumaloy ang agos.

Katayuan ng conductivity:Kapag ang boltahe ng gate (Vgs) ay mas mataas kaysa sa boltahe ng threshold (Vt), ang mga butas sa P-type na substrate sa ibaba ng gate ay tinataboy, na bumubuo ng isang depletion layer. Sa karagdagang pagtaas sa boltahe ng gate, ang mga electron ay naaakit sa ibabaw ng P-type na substrate, na bumubuo ng isang N-type na conducting channel. Sa puntong ito, nabuo ang isang landas sa pagitan ng pinagmulan at alisan ng tubig at maaaring dumaloy ang kasalukuyang.

III. Mga uri at katangian

Ang mga N-channel na MOSFET ay maaaring uriin sa iba't ibang uri ayon sa kanilang mga katangian, tulad ng Enhancement-Mode at Depletion-Mode. Kabilang sa mga ito, ang Enhancement-Mode MOSFET ay nasa cut-off na estado kapag ang boltahe ng gate ay zero, at kailangang maglapat ng positibong boltahe ng gate upang makapagsagawa; habang ang Depletion-Mode MOSFET ay nasa conductive state na kapag zero ang boltahe ng gate.

Ang mga N-channel na MOSFET ay may maraming mahuhusay na katangian tulad ng:

Mataas na input impedance:Ang gate at channel ng MOSFET ay nakahiwalay sa pamamagitan ng isang insulating layer, na nagreresulta sa napakataas na input impedance.

Mababang ingay:Dahil ang pagpapatakbo ng mga MOSFET ay hindi nagsasangkot ng pag-iniksyon at pagsasama-sama ng mga minoryang carrier, mababa ang ingay.

Mababang paggamit ng kuryente: Ang mga MOSFET ay may mababang paggamit ng kuryente sa parehong on at off na mga estado.

Mga katangian ng high-speed switching:Ang mga MOSFET ay may napakabilis na bilis ng paglipat at angkop para sa mga high frequency circuit at high speed digital circuit.

IV. Mga lugar ng aplikasyon

Ang mga N-channel na MOSFET ay malawakang ginagamit sa iba't ibang mga elektronikong aparato dahil sa mahusay na pagganap ng mga ito, tulad ng:

Mga Digital Circuit:Bilang pangunahing elemento ng logic gate circuits, ipinapatupad nito ang pagproseso at kontrol ng mga digital na signal.

Analogue circuit:Ginamit bilang isang pangunahing bahagi sa mga analog circuit tulad ng mga amplifier at mga filter.

Power Electronics:Ginagamit para sa kontrol ng mga power electronic device tulad ng pagpapalit ng mga power supply at motor drive.

Iba pang mga lugar:Tulad ng LED lighting, automotive electronics, wireless na komunikasyon at iba pang larangan ay malawakang ginagamit din.

Sa buod, ang N-channel MOSFET, bilang isang mahalagang semiconductor device, ay gumaganap ng isang hindi mapapalitang papel sa modernong elektronikong teknolohiya.