Sa ngayon, sa mabilis na pag-unlad ng agham at teknolohiya, ang mga semiconductor ay ginagamit sa parami nang paraming industriya, kung saan angMOSFET ay itinuturing din na isang napaka-karaniwang aparatong semiconductor, ang susunod na hakbang ay upang maunawaan kung ano ang pagkakaiba sa pagitan ng mga katangian ng bipolar power crystal transistor at ang output power MOSFET.
1, ang paraan ng trabaho
MOSFET ay ang trabaho na kinakailangan upang i-promote ang operating boltahe, circuit diagram ipaliwanag medyo simple, i-promote ang kapangyarihan ng maliit; kapangyarihan kristal transistor ay isang kapangyarihan daloy upang i-promote ang disenyo ng programa ay mas kumplikado, upang i-promote ang mga pagtutukoy ng pagpili ng mahirap na i-promote ang mga detalye ay mapanganib ang kapangyarihan supply kabuuang paglipat bilis.
2, ang kabuuang bilis ng paglipat ng power supply
MOSFET apektado ng temperatura ay maliit, ang power supply switching output kapangyarihan ay maaaring matiyak na higit sa 150KHz; Ang power crystal transistor ay may napakakaunting libreng singil sa oras ng pag-iimbak ay nililimitahan ang bilis ng paglipat ng power supply nito, ngunit ang kapangyarihan ng output nito ay karaniwang hindi hihigit sa 50KHz.
3, Ligtas na lugar ng pagtatrabaho
Power MOSFET ay walang pangalawang batayan, at ang ligtas na lugar ng pagtatrabaho ay malawak; Ang power crystal transistor ay may pangalawang batayan na sitwasyon, na naglilimita sa ligtas na lugar ng pagtatrabaho.
4, Electrical conductor working requirement working voltage
kapangyarihanMOSFET ay kabilang sa mataas na boltahe uri, ang pagpapadaloy nagtatrabaho kinakailangan nagtatrabaho boltahe ay mas mataas, mayroong isang positibong koepisyent temperatura; kapangyarihan kristal transistor kahit gaano karaming pera ay lumalaban sa nagtatrabaho kinakailangan nagtatrabaho boltahe, ang electric konduktor nagtatrabaho kinakailangan nagtatrabaho boltahe ay mas mababa, at may isang negatibong temperatura koepisyent.
5, ang maximum na daloy ng kapangyarihan
Power MOSFET sa switching power supply circuit power supply circuit circuit power supply circuit bilang isang power supply switch, sa operasyon at matatag na trabaho sa gitna, ang maximum na daloy ng kapangyarihan ay mas mababa; at kapangyarihan kristal transistor sa operasyon at matatag na trabaho sa gitna, ang pinakamataas na daloy ng kapangyarihan ay mas mataas.
6, Halaga ng produkto
Ang halaga ng power MOSFET ay bahagyang mas mataas; ang halaga ng power crystal triode ay bahagyang mas mababa.
7, Epekto ng pagtagos
Ang Power MOSFET ay walang epekto sa pagtagos; power crystal transistor ay may penetration effect.
8, pagkawala ng switching
Ang pagkawala ng paglipat ng MOSFET ay hindi maganda; kapangyarihan kristal transistor switching pagkawala ay relatibong malaki.
Sa karagdagan, ang karamihan ng kapangyarihan MOSFET isinama shock absorbing diode, habang ang bipolar power crystal transistor halos walang integrated shock absorbing diode.MOSFET shock absorbing diode ay maaari ding maging isang unibersal na magnet para sa paglipat ng power supply circuits magnet coils upang bigyan ang power factor anggulo ng channel ng kaligtasan ng daloy ng kuryente. Field effect tube sa shock absorbing diode sa buong proseso ng pag-off sa pangkalahatang diode bilang ang pagkakaroon ng reverse recovery kasalukuyang daloy, sa oras na ito ang diode sa isang banda upang kunin ang alisan ng tubig - source pole positibong gitna ng isang malaking pagtaas sa mga kinakailangan sa trabaho ng operating boltahe, sa kabilang banda, at ang reverse recovery na daloy ng kasalukuyang.
Oras ng post: Mayo-23-2024
