Ang mga MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ay kadalasang itinuturing na ganap na kinokontrol na mga device. Ito ay dahil ang operating state (on o off) ng MOSFET ay ganap na kinokontrol ng gate voltage (Vgs) at hindi nakadepende sa base current gaya ng sa kaso ng bipolar transistor (BJT).
Sa isang MOSFET, tinutukoy ng Vgs ng boltahe ng gate kung ang isang conducting channel ay nabuo sa pagitan ng source at drain, pati na rin ang lapad at conductivity ng conducting channel. Kapag ang Vgs ay lumampas sa threshold boltahe Vt, ang conducting channel ay nabuo at ang MOSFET ay pumasok sa on-state; kapag bumaba ang Vgs sa ibaba ng Vt, nawawala ang conducting channel at nasa cut-off state ang MOSFET. Ang kontrol na ito ay ganap na kinokontrol dahil ang boltahe ng gate ay maaaring independiyente at tumpak na kontrolin ang operating state ng MOSFET nang hindi umaasa sa iba pang kasalukuyang o boltahe na mga parameter.
Sa kabaligtaran, ang estado ng pagpapatakbo ng mga aparatong kalahating kinokontrol (hal., mga thyristor) ay hindi lamang apektado ng kontrol ng boltahe o kasalukuyang, kundi pati na rin ng iba pang mga kadahilanan (hal., anode boltahe, kasalukuyang, atbp.). Bilang resulta, ang mga ganap na kinokontrol na device (hal., mga MOSFET) ay karaniwang nag-aalok ng mas mahusay na pagganap sa mga tuntunin ng katumpakan ng kontrol at flexibility.
Sa buod, ang mga MOSFET ay ganap na kinokontrol na mga aparato na ang estado ng pagpapatakbo ay ganap na kinokontrol ng boltahe ng gate, at may mga pakinabang ng mataas na katumpakan, mataas na kakayahang umangkop at mababang paggamit ng kuryente.
Oras ng post: Set-20-2024
