Sa mga driver ng MOS ngayon, mayroong ilang hindi pangkaraniwang mga kinakailangan:
1. Mababang boltahe na aplikasyon
Kapag ang application ng 5V switchingsuplay ng kuryente, Sa oras na ito kung ang paggamit ng tradisyonal na istraktura ng totem poste, dahil ang triode ay 0.7V pataas at pababang pagkawala, na nagreresulta sa isang tiyak na huling pag-load ng gate sa boltahe ay 4.3V lamang, sa oras na ito, ang paggamit ng pinapayagang boltahe ng gate ng 4.5VMga MOSFET mayroong isang tiyak na antas ng panganib.Ang parehong sitwasyon nangyayari rin sa paggamit ng 3V o iba pang low-voltage switching power supply.
2.Wide boltahe application
Ang boltahe ng keying ay walang numerical na halaga, ito ay nag-iiba mula sa oras-oras o dahil sa iba pang mga kadahilanan. Ang pagkakaiba-iba na ito ay nagiging sanhi ng boltahe ng drive na ibinigay sa MOSFET ng PWM circuit upang maging hindi matatag.
Upang mas mahusay na ma-secure ang MOSFET sa matataas na boltahe ng gate, maraming MOSFET ang nag-embed ng mga regulator ng boltahe upang pilitin ang limitasyon sa magnitude ng boltahe ng gate. Sa kasong ito, kapag ang boltahe ng drive ay dinadala na lumampas sa boltahe ng regulator, ang isang malaking static na pagkawala ng function ay sanhi.
Kasabay nito, kung ang pangunahing prinsipyo ng divider ng boltahe ng risistor ay ginagamit upang bawasan ang boltahe ng gate, mangyayari na kung mas mataas ang naka-key na boltahe, gumagana nang maayos ang MOSFET, at kung nabawasan ang boltahe ng susi, ang boltahe ng gate ay hindi. sapat, na nagreresulta sa hindi sapat na turn-on at turn-off, na magpapahusay sa functional loss.
3. Mga aplikasyon ng dalawahang boltahe
Sa ilang control circuit, ang logic na bahagi ng circuit ay naglalapat ng tipikal na 5V o 3.3V na boltahe ng data, habang ang output power na bahagi ay nalalapat sa 12V o higit pa, at ang dalawang boltahe ay konektado sa common ground.
Nililinaw nito na ang isang power supply circuit ay dapat gamitin upang ang mababang boltahe na bahagi ay makatuwirang mamanipula ang mataas na boltahe na MOSFET, habang ang mataas na boltahe na MOSFET ay makakayanan ang parehong mga paghihirap na binanggit sa 1 at 2.
Sa tatlong mga kaso na ito, ang pagtatayo ng totem pole ay hindi maaaring matugunan ang mga kinakailangan sa output, at maraming mga umiiral na MOS driver ICs ay tila hindi kasama ang isang boltahe ng gate na naglilimita sa konstruksiyon.
Oras ng post: Hul-24-2024
