Bilang isa sa mga pinakapangunahing device sa larangan ng semiconductor, malawakang ginagamit ang MOSFET sa parehong disenyo ng IC at mga aplikasyon ng circuit sa antas ng board. Kaya magkano ang alam mo tungkol sa iba't ibang mga parameter ng MOSFET? Bilang isang espesyalista sa katamtaman at mababang boltahe na MOSFET,Olukeyay ipapaliwanag sa iyo nang detalyado ang iba't ibang mga parameter ng MOSFET!
VDSS maximum na drain-source na makatiis ng boltahe
Ang boltahe ng drain-source kapag ang dumadaloy na drain current ay umabot sa isang partikular na halaga (surge nang husto) sa ilalim ng isang partikular na temperatura at gate-source short circuit. Ang boltahe ng drain-source sa kasong ito ay tinatawag ding avalanche breakdown voltage. Ang VDSS ay may positibong koepisyent ng temperatura. Sa -50°C, ang VDSS ay humigit-kumulang 90% niyan sa 25°C. Dahil sa allowance na karaniwang natitira sa normal na produksyon, ang avalanche breakdown boltahe ngMOSFETay palaging mas malaki kaysa sa nominal na rate ng boltahe.
Ang mainit na paalala ni Olukey: Upang matiyak ang pagiging maaasahan ng produkto, sa ilalim ng pinakamasamang kondisyon sa pagtatrabaho, inirerekomenda na ang boltahe sa pagtatrabaho ay hindi dapat lumampas sa 80~90% ng na-rate na halaga.
VGSS maximum na gate-source makatiis boltahe
Ito ay tumutukoy sa halaga ng VGS kapag ang reverse current sa pagitan ng gate at source ay nagsimulang tumaas nang husto. Ang paglampas sa halaga ng boltahe na ito ay magdudulot ng dielectric breakdown ng gate oxide layer, na isang mapanirang at hindi maibabalik na pagkasira.
ID maximum na drain-source kasalukuyang
Ito ay tumutukoy sa pinakamataas na kasalukuyang pinapayagang dumaan sa pagitan ng alisan ng tubig at ang pinagmulan kapag ang field effect transistor ay gumagana nang normal. Ang kasalukuyang operating ng MOSFET ay hindi dapat lumampas sa ID. Mababawasan ang parameter na ito habang tumataas ang temperatura ng junction.
IDM maximum pulse drain-source kasalukuyang
Sinasalamin ang antas ng kasalukuyang pulso na kayang hawakan ng device. Ang parameter na ito ay bababa habang tumataas ang temperatura ng junction. Kung ang parameter na ito ay masyadong maliit, ang system ay maaaring nasa panganib na masira ng kasalukuyang sa panahon ng pagsubok ng OCP.
PD maximum power dissipation
Ito ay tumutukoy sa maximum na drain-source power dissipation na pinapayagan nang hindi lumalala sa pagganap ng field effect transistor. Kapag ginamit, ang aktwal na paggamit ng kuryente ng field effect transistor ay dapat na mas mababa kaysa sa PDSM at mag-iwan ng isang tiyak na margin. Karaniwang bumababa ang parameter na ito habang tumataas ang temperatura ng junction.
TJ, TSTG operating temperatura at saklaw ng temperatura ng kapaligiran ng imbakan
Ang dalawang parameter na ito ay nag-calibrate sa hanay ng temperatura ng junction na pinapayagan ng operating at storage environment ng device. Ang hanay ng temperatura na ito ay nakatakda upang matugunan ang pinakamababang mga kinakailangan sa buhay ng pagpapatakbo ng device. Kung ang aparato ay matiyak na gumagana sa loob ng saklaw ng temperatura na ito, ang buhay ng pagtatrabaho nito ay lubos na mapapahaba.
Oras ng post: Dis-15-2023
