Ang pag-unawa sa mga prinsipyo sa pagpapatakbo ng mga MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) ay napakahalaga para sa epektibong paggamit ng mga high-efficiency na electronic component na ito. Ang mga MOSFET ay kailangang-kailangan na elemento sa mga elektronikong device, at ang pag-unawa sa mga ito ay mahalaga para sa mga tagagawa.
Sa pagsasagawa, may mga tagagawa na maaaring hindi lubos na pinahahalagahan ang mga partikular na function ng MOSFET sa panahon ng kanilang aplikasyon. Gayunpaman, sa pamamagitan ng pag-unawa sa mga prinsipyo ng pagtatrabaho ng mga MOSFET sa mga elektronikong aparato at ang kanilang kaukulang mga tungkulin, madiskarteng mapipili ng isa ang pinaka-angkop na MOSFET, na isinasaalang-alang ang mga natatanging katangian nito at ang mga partikular na katangian ng produkto. Pinahuhusay ng pamamaraang ito ang pagganap ng produkto, na pinapalakas ang pagiging mapagkumpitensya nito sa merkado.
WINSOK SOT-23-3 package MOSFET
Mga Prinsipyo sa Paggawa ng MOSFET
Kapag ang gate-source voltage (VGS) ng MOSFET ay zero, kahit na may paggamit ng drain-source voltage (VDS), palaging may PN junction sa reverse bias, na nagreresulta sa walang conductive channel (at walang current) sa pagitan ang alisan ng tubig at pinagmumulan ng MOSFET. Sa ganitong estado, ang drain current (ID) ng MOSFET ay zero. Ang paglalagay ng positibong boltahe sa pagitan ng gate at source (VGS > 0) ay lumilikha ng electric field sa SiO2 insulating layer sa pagitan ng gate ng MOSFET at ng silicon substrate, na nakadirekta mula sa gate patungo sa P-type na silicon substrate. Dahil sa ang oxide layer ay insulating, ang boltahe na inilapat sa gate, VGS, ay hindi maaaring makabuo ng isang kasalukuyang sa MOSFET. Sa halip, ito ay bumubuo ng isang kapasitor sa buong layer ng oxide.
Habang unti-unting tumataas ang VGS, nag-charge ang capacitor, na lumilikha ng electric field. Naaakit ng positibong boltahe sa gate, maraming mga electron ang naipon sa kabilang panig ng capacitor, na bumubuo ng isang N-type na conductive channel mula sa drain hanggang sa source sa MOSFET. Kapag ang VGS ay lumampas sa threshold na boltahe na VT (karaniwang nasa paligid ng 2V), ang N-channel ng MOSFET ay nagsasagawa, na nagpapasimula ng daloy ng drain current ID. Ang boltahe ng gate-source kung saan nagsisimulang mabuo ang channel ay tinutukoy bilang ang threshold voltage VT. Sa pamamagitan ng pagkontrol sa magnitude ng VGS, at dahil dito sa electric field, ang laki ng drain current ID sa MOSFET ay maaaring baguhin.
WINSOK DFN5x6-8 package MOSFET
Mga Aplikasyon ng MOSFET
Ang MOSFET ay kilala para sa mahusay na mga katangian ng paglipat, na humahantong sa malawak na aplikasyon nito sa mga circuit na nangangailangan ng mga electronic switch, tulad ng switch-mode power supply. Sa mga application na may mababang boltahe na gumagamit ng 5V power supply, ang paggamit ng mga tradisyonal na istruktura ay nagreresulta sa pagbaba ng boltahe sa base-emitter ng isang bipolar junction transistor (mga 0.7V), na nag-iiwan lamang ng 4.3V para sa huling boltahe na inilapat sa gate ng ang MOSFET. Sa ganitong mga sitwasyon, ang pagpili para sa isang MOSFET na may nominal na boltahe ng gate na 4.5V ay nagpapakilala ng ilang mga panganib. Ang hamon na ito ay nagpapakita rin sa mga application na kinasasangkutan ng 3V o iba pang mga supply ng kuryente na may mababang boltahe.
Oras ng post: Okt-27-2023
