Kapag nagdidisenyo ng switching power supply o motor drive circuit gamit angMga MOSFET, ang mga kadahilanan tulad ng on-resistance, maximum na boltahe, at maximum na kasalukuyang ng MOS ay karaniwang isinasaalang-alang.
Ang MOSFET tubes ay isang uri ng FET na maaaring gawa-gawa bilang uri ng pagpapahusay o pagkaubos, P-channel o N-channel para sa kabuuang 4 na uri. Ang mga NMOSFET sa pagpapahusay at mga PMOSFET ng pagpapahusay ay karaniwang ginagamit, at ang dalawang ito ay karaniwang binabanggit.
Ang dalawang ito ay mas karaniwang ginagamit ay NMOS. ang dahilan ay ang conductive resistance ay maliit at madaling gawin. Samakatuwid, ang NMOS ay karaniwang ginagamit sa pagpapalit ng power supply at mga application ng motor drive.
Sa loob ng MOSFET, isang thyristor ang inilalagay sa pagitan ng drain at ang source, na napakahalaga sa pagmamaneho ng mga inductive load gaya ng mga motor, at naroroon lamang sa isang MOSFET, hindi karaniwan sa isang integrated circuit chip.
Umiiral ang parasitic capacitance sa pagitan ng tatlong pin ng MOSFET, hindi sa kailangan natin ito, ngunit dahil sa mga limitasyon ng proseso ng pagmamanupaktura. Ang pagkakaroon ng parasitic capacitance ay ginagawang mas mahirap kapag nagdidisenyo o pumipili ng circuit ng driver, ngunit hindi ito maiiwasan.
Ang pangunahing mga parameter ngMOSFET
1, bukas na boltahe VT
Buksan ang boltahe (kilala rin bilang ang boltahe ng threshold): upang ang boltahe ng gate na kinakailangan upang simulan ang pagbuo ng isang conductive channel sa pagitan ng source S at drain D; karaniwang N-channel MOSFET, VT ay tungkol sa 3 ~ 6V; sa pamamagitan ng mga pagpapabuti ng proseso, ang halaga ng MOSFET VT ay maaaring bawasan sa 2 ~ 3V.
2, DC input resistance RGS
Ang ratio ng boltahe na idinagdag sa pagitan ng gate source pole at ng gate current Ang katangiang ito ay minsan ipinahayag ng gate current na dumadaloy sa gate, ang MOSFET's RGS ay madaling lumampas sa 1010Ω.
3. Drain source breakdown BVDS boltahe.
Sa ilalim ng kondisyon ng VGS = 0 (pinahusay), sa proseso ng pagtaas ng boltahe ng drain-source, ang ID ay tumataas nang husto kapag ang VDS ay tinatawag na drain-source breakdown voltage BVDS, ang ID ay tumataas nang husto dahil sa dalawang dahilan: (1) avalanche pagkasira ng depletion layer malapit sa drain, (2) penetration breakdown sa pagitan ng drain at source pole, ilang MOSFET, na may mas maikling haba ng trench, ay nagpapataas ng VDS upang ang drain layer sa drain region ay lumawak sa source region, ginagawa ang haba ng Channel ay zero, iyon ay, upang makabuo ng isang drain-source penetration, penetration, karamihan sa mga carrier sa source region ay direktang maaakit ng electric field ng depletion layer sa drain region, na nagreresulta sa isang malaking ID .
4, gate source breakdown boltahe BVGS
Kapag ang boltahe ng gate ay tumaas, ang VGS kapag ang IG ay tumaas mula sa zero ay tinatawag na gate source breakdown voltage BVGS.
5、Mababang dalas ng transconductance
Kapag ang VDS ay isang fixed value, ang ratio ng microvariation ng drain current sa microvariation ng gate source voltage na nagiging sanhi ng pagbabago ay tinatawag na transconductance, na sumasalamin sa kakayahan ng gate source voltage na kontrolin ang drain current, at isang mahalagang parameter na nagpapakilala sa kakayahan ng amplification ngMOSFET.
6, on-resistance RON
Ang on-resistance RON ay nagpapakita ng epekto ng VDS sa ID, ay ang kabaligtaran ng slope ng tangent line ng mga katangian ng alisan ng tubig sa isang tiyak na punto, sa rehiyon ng saturation, ang ID ay halos hindi nagbabago sa VDS, ang RON ay isang napakalaking halaga, sa pangkalahatan ay nasa sampu-sampung kilo-Ohms hanggang daan-daang kilo-Ohms, dahil sa mga digital na circuit, ang mga MOSFET ay madalas na gumagana sa estado ng conductive VDS = 0, kaya sa puntong ito, ang on-resistance RON ay maaaring tantiyahin ng pinagmulan ng RON sa tinatayang, para sa pangkalahatang MOSFET, halaga ng RON sa loob ng ilang daang ohms.
7, inter-polar kapasidad
Ang interpolar capacitance ay umiiral sa pagitan ng tatlong electrodes: gate source capacitance CGS, gate drain capacitance CGD at drain source capacitance CDS-CGS at CGD ay tungkol sa 1~3pF, CDS ay tungkol sa 0.1~1pF.
8、Mababang dalas ng ingay kadahilanan
Ang ingay ay sanhi ng mga iregularidad sa paggalaw ng mga carrier sa pipeline. Dahil sa presensya nito, nangyayari ang hindi regular na boltahe o kasalukuyang mga pagkakaiba-iba sa output kahit na walang signal na inihatid ng amplifier. Ang pagganap ng ingay ay karaniwang ipinahayag sa mga tuntunin ng kadahilanan ng ingay na NF. Ang yunit ay decibel (dB). Kung mas maliit ang halaga, mas kaunting ingay ang ginagawa ng tubo. Ang low-frequency noise factor ay ang noise factor na sinusukat sa low-frequency range. Ang kadahilanan ng ingay ng isang field effect tube ay halos ilang dB, mas mababa kaysa sa isang bipolar triode.
Oras ng post: Abr-24-2024
