Paraan ng produksyon ng high power MOSFET driving circuit

Mayroong dalawang pangunahing solusyon:

Ang isa ay ang paggamit ng isang dedikadong driver chip upang himukin ang MOSFET, o ang paggamit ng mga mabilis na photocoupler, ang mga transistor ay bumubuo ng isang circuit upang himukin ang MOSFET, ngunit ang unang uri ng diskarte ay nangangailangan ng pagkakaloob ng isang independiyenteng supply ng kuryente; ang iba pang uri ng pulse transpormer upang himukin ang MOSFET, at sa pulse drive circuit, kung paano pagbutihin ang switching frequency ng drive circuit upang madagdagan ang kapasidad sa pagmamaneho, hangga't maaari, upang bawasan ang bilang ng mga bahagi, ay ang kagyat na pangangailangan upang malutas angkasalukuyang Problema.

Ang unang uri ng drive scheme, kalahating tulay ay nangangailangan ng dalawang independiyenteng power supply; Ang full-bridge ay nangangailangan ng tatlong independiyenteng power supply, parehong half-bridge at full-bridge, masyadong maraming mga bahagi, hindi nakakatulong sa pagbawas ng gastos.

Ang pangalawang uri ng programa sa pagmamaneho, at ang patent ay ang pinakamalapit na naunang sining para sa pangalan ng imbensyon na "a high-powerMOSFET drive circuit" patent (application number 200720309534. 8), ang patent ay nagdagdag lamang ng discharge resistance upang palabasin ang gate source ng high-power MOSFET charge, upang makamit ang layunin ng pag-shut down, ang bumabagsak na gilid ng PWM signal ay malaki. Ang pagbagsak ng gilid ng signal ng PWM ay malaki, na hahantong sa mabagal na pagsara ng MOSFET, ang pagkawala ng kuryente ay napakalaki;

Sa karagdagan, ang patent program MOSFET work ay madaling kapitan ng interference, at ang PWM control chip ay kailangang magkaroon ng malaking output power, na ginagawang mataas ang temperatura ng chip, na nakakaapekto sa buhay ng serbisyo ng chip. Mga nilalaman ng imbensyon Ang layunin ng utility model na ito ay magbigay ng high-power MOSFET drive circuit, gumana nang mas matatag at zero para makamit ang layunin ng utility model invention na teknikal na solusyon - isang high-power MOSFET drive circuit, ang output ng signal ng ang PWM control chip ay konektado sa pangunahing transpormer ng pulso, ang unang output of ang pangalawang pulse transpormer ay konektado sa unang MOSFET gate, ang pangalawang output ng pangalawang pulse transpormer ay konektado sa unang MOSFET gate, ang pangalawang output ng pangalawang pulse transpormer ay konektado sa unang MOSFET gate. Ang unang output ng pulse transformer pangalawang ay konektado sa gate ng unang MOSFET, ang pangalawang output ng pulse transpormer pangalawang ay konektado sa gate ng pangalawang MOSFET, nailalarawan sa na ang unang output ng pulse transpormer pangalawang ay konektado din sa unang discharge transistor, at ang pangalawang output ng pulse transistor pangalawang ay konektado din sa pangalawang discharge transistor. Ang pangunahing bahagi ng pulse transpormer ay konektado din sa isang imbakan ng enerhiya at circuit ng paglabas.

Ang energy storage release circuit ay kinabibilangan ng isang risistor, isang kapasitor at isang diode, ang risistor at ang kapasitor ay konektado sa parallel, at ang nabanggit na parallel circuit ay konektado sa serye sa diode. Ang modelo ng utility ay may kapaki-pakinabang na epekto Ang modelo ng utility ay mayroon ding unang discharge transistor na konektado sa unang output ng pangalawang transpormer, at isang pangalawang discharge transistor na konektado sa pangalawang output ng pulse transistor, upang kapag ang pulse transistor ay naglalabas ng isang mababang antas, ang unang MOSFET at ang pangalawang MOSFET ay maaaring mabilis na ma-discharge upang mapabuti ang bilis ng pag-shutdown ng MOSFET, at upang mabawasan ang pagkawala ng MOSFET. Ang signal ng PWM control chip ay konektado sa ang signal amplification MOSFET sa pagitan ng pangunahing output at ang pulse transpormer pangunahing, na maaaring magamit para sa signal amplification. Ang output ng signal ng PWM control chip at ang pangunahing pulse transformer ay konektado sa isang MOSFET para sa pagpapalakas ng signal, na maaaring higit pang mapabuti ang kakayahan sa pagmamaneho ng PWM signal.

Ang pangunahing transpormer ng pulso ay konektado din sa isang circuit ng paglabas ng imbakan ng enerhiya, kapag ang signal ng PWM ay nasa mababang antas, ang circuit ng paglabas ng imbakan ng enerhiya ay naglalabas ng nakaimbak na enerhiya sa transpormer ng pulso kapag ang PWM ay nasa mataas na antas, na tinitiyak na ang gate ang pinagmulan ng unang MOSFET at ang pangalawang MOSFET ay napakababa, na gumaganap ng isang papel sa pagpigil sa panghihimasok.

Sa isang partikular na pagpapatupad, ang isang mababang-power na MOSFET Q1 para sa pagpapalakas ng signal ay konektado sa pagitan ng signal output terminal A ng PWM control chip at ang pangunahin ng pulse transformer Tl, ang unang output terminal ng pangalawang ng pulse transformer ay konektado sa ang gate ng unang MOSFET Q4 sa pamamagitan ng diode D1 at ang driving resistor Rl, ang pangalawang output terminal ng pangalawang ng pulse transformer ay konektado sa gate ng pangalawang MOSFET Q5 sa pamamagitan ng diode D2 at ang pagmamaneho risistor R2, at ang unang output terminal ng pangalawang ng pulse transpormer ay konektado din sa unang drain triode Q2, at ang pangalawang drain triode Q3 ay konektado din sa pangalawang drain triode Q3. MOSFET Q5, ang unang output terminal ng pulse transistor pangalawang ay konektado din sa isang unang drain transistor Q2, at ang pangalawang output terminal ng pulse transistor pangalawang ay konektado din sa isang pangalawang drain transistor Q3.

Ang gate ng unang MOSFET Q4 ay konektado sa isang drain resistor R3, at ang gate ng pangalawang MOSFET Q5 ay konektado sa isang drain resistor R4. ang pangunahing ng pulse transformer Tl ay konektado din sa isang energy storage at release circuit, at ang energy storage at release circuit ay may kasamang risistor R5, isang capacitor Cl, at isang diode D3, at ang risistor R5 at ang capacitor Cl ay konektado sa parallel, at ang nabanggit na parallel circuit ay konektado sa serye kasama ang diode D3. ang PWM signal output mula sa PWM control chip ay konektado sa low-power MOSFET Q2, at ang low-power MOSFET Q2 ay konektado sa pangalawang ng pulse transformer. ay pinalakas ng mababang-power MOSFET Ql at output sa pangunahing ng pulse transpormer Tl. Kapag ang PWM signal ay mataas, ang unang output terminal at ang pangalawang output terminal ng pangalawang ng pulso transpormer Tl output mataas na antas ng signal upang himukin ang unang MOSFET Q4 at ang pangalawang MOSFET Q5 na magsagawa.

Kapag ang PWM signal ay mababa, ang unang output at ang pangalawang output ng pulse transpormer Tl pangalawang output mababang antas ng signal, ang unang drain transistor Q2 at ang pangalawang drain transistor Q3 pagpapadaloy, ang unang MOSFETQ4 gate source capacitance sa pamamagitan ng drain risistor R3, ang unang drain transistor Q2 para sa discharge, ang pangalawang MOSFETQ5 gate source capacitance sa pamamagitan ng drain resistor R4, ang pangalawang drain transistor Q3 para sa discharge, ang pangalawa MOSFETQ5 gate source capacitance sa pamamagitan ng drain risistor R4, ang pangalawang drain transistor Q3 para sa discharge, ang pangalawang MOSFETQ5 gate source capacitance sa pamamagitan ng drain resistor R4, ang pangalawang drain transistor Q3 para sa discharge. Ang pangalawang MOSFETQ5 gate source capacitance ay pinalabas sa pamamagitan ng drain resistor R4 at ang pangalawang drain transistor Q3, upang ang unang MOSFET Q4 at ang pangalawang MOSFET Q5 ay maaaring patayin nang mas mabilis at ang pagkawala ng kuryente ay maaaring mabawasan.

Kapag mababa ang signal ng PWM, ang naka-imbak na energy release circuit na binubuo ng risistor R5, capacitor Cl at diode D3 ay naglalabas ng nakaimbak na enerhiya sa pulse transformer kapag mataas ang PWM, tinitiyak na ang gate source ng unang MOSFET Q4 at ang pangalawang MOSFET Napakababa ng Q5, na nagsisilbi sa layunin ng anti-interference. Ang Diode Dl at diode D2 ay nagsasagawa ng kasalukuyang output nang unidirectionally, kaya tinitiyak ang kalidad ng PWM waveform, at sa parehong oras, ito rin ay gumaganap ng papel na anti-interference sa isang tiyak na lawak.