Ano ang mga function ng MOSFET?

Mayroong dalawang pangunahing uri ng MOSFET: split junction type at insulated gate type. Ang Junction MOSFET (JFET) ay pinangalanan dahil mayroon itong dalawang PN junction, at insulated gateMOSFET(JGFET) ay pinangalanan dahil ang gate ay ganap na insulated mula sa iba pang mga electrodes. Sa kasalukuyan, sa mga insulated gate MOSFET, ang pinakakaraniwang ginagamit ay MOSFET, na tinutukoy bilang MOSFET (metal-oxide-semiconductor MOSFET); bilang karagdagan, mayroong mga PMOS, NMOS at VMOS power MOSFET, gayundin ang kamakailang inilunsad na πMOS at VMOS power modules, atbp.

 

Ayon sa iba't ibang mga materyales ng channel semiconductor, ang uri ng kantong at uri ng insulating gate ay nahahati sa channel at P channel. Kung hinati ayon sa conductivity mode, ang MOSFET ay maaaring hatiin sa depletion type at enhancement type. Ang mga MOSFET ng junction ay lahat ng uri ng depletion, at ang mga insulated gate MOSFET ay parehong uri ng depletion at uri ng pagpapahusay.

Maaaring hatiin ang mga field effect transistors sa junction field effect transistors at MOSFET. Ang mga MOSFET ay nahahati sa apat na kategorya: N-channel depletion type at enhancement type; Uri ng pagkaubos ng P-channel at uri ng pagpapahusay.

 

Mga katangian ng MOSFET

Ang katangian ng isang MOSFET ay ang south gate boltahe UG; na kumokontrol sa kasalukuyang drain ID nito. Kung ikukumpara sa mga ordinaryong bipolar transistors, ang mga MOSFET ay may mga katangian ng mataas na input impedance, mababang ingay, malaking dynamic range, mababang paggamit ng kuryente, at madaling pagsasama.

 

Kapag tumaas ang absolute value ng negative bias voltage (-UG), tataas ang depletion layer, bababa ang channel, at bababa ang drain current ID. Kapag bumaba ang absolute value ng negative bias voltage (-UG), bababa ang depletion layer, tataas ang channel, at tataas ang drain current ID. Makikita na ang drain current ID ay kinokontrol ng boltahe ng gate, kaya ang MOSFET ay isang boltahe na kinokontrol na aparato, iyon ay, ang mga pagbabago sa kasalukuyang output ay kinokontrol ng mga pagbabago sa input boltahe, upang makamit ang amplification at iba pang layunin.

 

Tulad ng mga bipolar transistors, kapag ang MOSFET ay ginagamit sa mga circuit tulad ng amplification, dapat ding magdagdag ng bias na boltahe sa gate nito.

Ang gate ng junction field effect tube ay dapat ilapat na may reverse bias na boltahe, iyon ay, isang negatibong boltahe ng gate ay dapat ilapat sa N-channel tube at isang positibong gate claw ay dapat ilapat sa P-channel tube. Ang reinforced insulated gate MOSFET ay dapat maglapat ng forward gate voltage. Ang boltahe ng gate ng isang depletion-mode insulating MOSFET ay maaaring positibo, negatibo, o "0". Kasama sa mga paraan ng pagdaragdag ng bias ang fixed bias method, ang self-supplied na bias method, ang direct coupling method, atbp.

MOSFETay may maraming mga parameter, kabilang ang mga parameter ng DC, mga parameter ng AC at mga parameter ng limitasyon, ngunit sa normal na paggamit, kailangan mo lamang na bigyang-pansin ang mga sumusunod na pangunahing parameter: saturated drain-source kasalukuyang IDSS pinch-off boltahe Up, (junction tube at depletion mode insulated gate tube, o turn-on Voltage UT (reinforced insulated gate tube), transconductance gm, drain-source breakdown voltage BUDS, maximum power dissipation PDSM at maximum drain-source kasalukuyang IDSM.

(1) Saturated drain-source current

Ang saturated drain-source current IDSS ay tumutukoy sa drain-source current kapag ang boltahe ng gate UGS=0 sa isang junction o depletion insulated gate MOSFET.

(2) Pinch-off na boltahe

Ang pinch-off na boltahe na UP ay tumutukoy sa boltahe ng gate kapag ang koneksyon ng drain-source ay naputol lamang sa isang junction o depletion-type insulated gate MOSFET. Gaya ng ipinapakita sa 4-25 para sa UGS-ID curve ng N-channel tube, malinaw na makikita ang kahulugan ng IDSS at UP.

(3) Turn-on na boltahe

Ang turn-on na boltahe na UT ay tumutukoy sa boltahe ng gate kapag ang koneksyon ng drain-source ay ginawa lamang sa reinforced insulated gate MOSFET. Ipinapakita ng Figure 4-27 ang UGS-ID curve ng N-channel tube, at malinaw na makikita ang kahulugan ng UT.

(4) Transconductance

Ang transconductance gm ay kumakatawan sa kakayahan ng gate-source voltage UGS na kontrolin ang drain current ID, iyon ay, ang ratio ng pagbabago sa drain current ID sa pagbabago sa gate-source voltage UGS. Ang 9m ay isang mahalagang parameter upang masukat ang kakayahan ng amplification ngMOSFET.

(5) Drain-source breakdown voltage

Ang drain-source breakdown voltage BUDS ay tumutukoy sa pinakamataas na drain-source voltage na matatanggap ng MOSFET kapag ang gate-source voltage UGS ay pare-pareho. Ito ay isang parameter na naglilimita, at ang operating boltahe na inilapat sa MOSFET ay dapat na mas mababa sa BUDS.

(6) Pinakamataas na pagkawala ng kapangyarihan

Ang maximum na power dissipation na PDSM ay isa ring limit na parameter, na tumutukoy sa maximum na drain-source power dissipation na pinapayagan nang walang pagkasira ng MOSFET performance. Kapag ginamit, ang aktwal na paggamit ng kuryente ng MOSFET ay dapat na mas mababa sa PDSM at mag-iwan ng isang tiyak na margin.

(7) Pinakamataas na alisan ng tubig-pinagmulan kasalukuyang

Ang maximum na drain-source na kasalukuyang IDSM ay isa pang parameter ng limitasyon, na tumutukoy sa maximum na kasalukuyang pinapayagang dumaan sa pagitan ng drain at source kapag normal na gumagana ang MOSFET. Ang operating kasalukuyang ng MOSFET ay hindi dapat lumampas sa IDSM.

1. Maaaring gamitin ang MOSFET para sa amplification. Dahil ang input impedance ng MOSFET amplifier ay napakataas, ang coupling capacitor ay maaaring maliit at ang mga electrolytic capacitor ay hindi kailangang gamitin.

2. Ang mataas na input impedance ng MOSFET ay napaka-angkop para sa impedance transformation. Madalas itong ginagamit para sa pagbabago ng impedance sa yugto ng pag-input ng mga multi-stage na amplifier.

3. MOSFET ay maaaring gamitin bilang isang variable risistor.

4. Ang MOSFET ay maaaring maginhawang gamitin bilang patuloy na kasalukuyang pinagmumulan.

5. Ang MOSFET ay maaaring gamitin bilang electronic switch.

 

Ang MOSFET ay may mga katangian ng mababang panloob na resistensya, mataas na makatiis na boltahe, mabilis na paglipat, at mataas na enerhiya ng avalanche. Ang idinisenyong kasalukuyang span ay 1A-200A at ang boltahe span ay 30V-1200V. Maaari naming ayusin ang mga de-koryenteng parameter ayon sa mga patlang ng aplikasyon at mga plano ng aplikasyon ng customer upang mapabuti ang pagiging maaasahan ng produkto ng customer, pangkalahatang kahusayan sa conversion at pagiging mapagkumpitensya sa presyo ng produkto.

 

Paghahambing ng MOSFET kumpara sa Transistor

(1) Ang MOSFET ay isang elemento ng kontrol ng boltahe, habang ang isang transistor ay isang kasalukuyang elemento ng kontrol. Kapag maliit na halaga ng kasalukuyang ang pinapayagang kunin mula sa pinagmumulan ng signal, isang MOSFET ang dapat gamitin; kapag ang boltahe ng signal ay mababa at ang isang malaking halaga ng kasalukuyang ay pinapayagan na makuha mula sa pinagmulan ng signal, isang transistor ang dapat gamitin.

(2) Gumagamit ang MOSFET ng karamihan sa mga carrier upang magsagawa ng kuryente, kaya ito ay tinatawag na isang unipolar na aparato, habang ang mga transistor ay may parehong mayoryang carrier at minorya na carrier upang magsagawa ng kuryente. Ito ay tinatawag na bipolar device.

(3) Ang pinagmulan at alisan ng tubig ng ilang MOSFET ay maaaring gamitin nang palitan, at ang boltahe ng gate ay maaaring maging positibo o negatibo, na mas nababaluktot kaysa sa mga transistor.

(4) Ang MOSFET ay maaaring gumana sa ilalim ng napakaliit na kasalukuyang at napakababang kondisyon ng boltahe, at ang proseso ng pagmamanupaktura nito ay madaling maisama ang maraming MOSFET sa isang silicon na wafer. Samakatuwid, ang mga MOSFET ay malawakang ginagamit sa malalaking integrated circuit.

 

Paano hatulan ang kalidad at polarity ng MOSFET

Piliin ang hanay ng multimeter sa RX1K, ikonekta ang itim na test lead sa D pole, at ang pulang test lead sa S pole. Hawakan ang G at D pole nang sabay gamit ang iyong kamay. Ang MOSFET ay dapat nasa isang agarang conduction state, iyon ay, ang meter needle ay umiindayog sa isang posisyon na may mas maliit na resistensya. , at pagkatapos ay hawakan ang G at S pole gamit ang iyong mga kamay, ang MOSFET ay dapat na walang tugon, iyon ay, ang meter needle ay hindi babalik sa zero na posisyon. Sa oras na ito, dapat itong husgahan na ang MOSFET ay isang magandang tubo.

Piliin ang hanay ng multimeter hanggang RX1K, at sukatin ang paglaban sa pagitan ng tatlong pin ng MOSFET. Kung ang paglaban sa pagitan ng isang pin at ng iba pang dalawang pin ay walang katapusan, at ito ay walang katapusan pa rin pagkatapos ng pagpapalitan ng mga test lead, Kung gayon ang pin na ito ay ang G pole, at ang iba pang dalawang pin ay ang S pole at D pole. Pagkatapos ay gumamit ng multimeter upang sukatin ang halaga ng paglaban sa pagitan ng S pole at D pole nang isang beses, palitan ang mga test lead at sukatin muli. Ang may mas maliit na resistance value ay itim. Ang test lead ay konektado sa S pole, at ang pulang test lead ay konektado sa D pole.

 

MOSFET detection at pag-iingat sa paggamit

1. Gumamit ng pointer multimeter upang matukoy ang MOSFET

1) Gumamit ng paraan ng pagsukat ng paglaban upang matukoy ang mga electrodes ng junction MOSFET

Ayon sa kababalaghan na ang mga halaga ng pasulong at reverse resistance ng PN junction ng MOSFET ay iba, ang tatlong electrodes ng junction MOSFET ay maaaring makilala. Tukoy na paraan: Itakda ang multimeter sa R×1k range, pumili ng alinmang dalawang electrodes, at sukatin ang kanilang forward at reverse resistance value ayon sa pagkakabanggit. Kapag ang forward at reverse resistance value ng dalawang electrodes ay pantay at ilang libong ohms, ang dalawang electrodes ay ang drain D at ang source S ayon sa pagkakabanggit. Dahil para sa junction MOSFET, ang drain at source ay maaaring palitan, ang natitirang electrode ay dapat na ang gate G. Maaari mo ring hawakan ang itim na test lead (red test lead ay katanggap-tanggap din) ng multimeter sa anumang electrode, at ang iba pang test lead sa pindutin ang natitirang dalawang electrodes sa pagkakasunud-sunod upang masukat ang halaga ng paglaban. Kapag ang mga halaga ng paglaban na sinusukat ng dalawang beses ay humigit-kumulang pantay, ang elektrod na nakikipag-ugnayan sa itim na test lead ay ang gate, at ang iba pang dalawang electrodes ay ang drain at source ayon sa pagkakabanggit. Kung ang mga halaga ng paglaban na sinusukat nang dalawang beses ay parehong napakalaki, nangangahulugan ito na ito ay ang reverse direksyon ng PN junction, iyon ay, pareho silang reverse resistance. Maaari itong matukoy na ito ay isang N-channel MOSFET, at ang itim na test lead ay konektado sa gate; kung ang mga halaga ng paglaban na sinusukat ng dalawang beses ay Ang mga halaga ng paglaban ay napakaliit, na nagpapahiwatig na ito ay isang pasulong na PN junction, iyon ay, isang pasulong na pagtutol, at ito ay tinutukoy na isang P-channel na MOSFET. Ang itim na test lead ay konektado din sa gate. Kung hindi nangyari ang sitwasyon sa itaas, maaari mong palitan ang itim at pulang test lead at isagawa ang pagsubok ayon sa pamamaraan sa itaas hanggang sa matukoy ang grid.

 

2) Gumamit ng paraan ng pagsukat ng paglaban upang matukoy ang kalidad ng MOSFET

Ang paraan ng pagsukat ng resistensya ay ang paggamit ng multimeter upang sukatin ang paglaban sa pagitan ng pinagmulan at drain ng MOSFET, gate at source, gate at drain, gate G1 at gate G2 upang matukoy kung tumutugma ito sa resistance value na nakasaad sa MOSFET manual. Ang pamamahala ay mabuti o masama. Tukoy na paraan: Una, itakda ang multimeter sa R×10 o R×100 range, at sukatin ang paglaban sa pagitan ng source S at drain D, kadalasan sa hanay ng sampu-sampung ohms hanggang ilang libong ohms (makikita ito sa ang manual na iba't-ibang mga modelo tubes, ang kanilang mga halaga ng paglaban ay naiiba), kung ang sinusukat na halaga ng paglaban ay mas malaki kaysa sa normal na halaga, maaaring ito ay dahil sa mahinang panloob na contact; kung ang sinusukat na halaga ng paglaban ay walang katapusan, maaaring ito ay isang panloob na sirang poste. Pagkatapos ay itakda ang multimeter sa hanay ng R×10k, at pagkatapos ay sukatin ang mga halaga ng paglaban sa pagitan ng mga gate G1 at G2, sa pagitan ng gate at ng pinagmulan, at sa pagitan ng gate at ng drain. Kapag ang sinusukat na mga halaga ng paglaban ay lahat ng walang katapusan, pagkatapos Ito ay nangangahulugan na ang tubo ay normal; kung ang mga halaga ng resistensya sa itaas ay masyadong maliit o mayroong isang landas, nangangahulugan ito na ang tubo ay masama. Dapat tandaan na kung ang dalawang gate ay nasira sa tubo, ang paraan ng pagpapalit ng bahagi ay maaaring gamitin para sa pagtuklas.

 

3) Gamitin ang paraan ng pag-input ng signal ng induction para tantiyahin ang kakayahan sa pagpapalakas ng MOSFET

Tukoy na paraan: Gamitin ang R×100 level ng multimeter resistance, ikonekta ang pulang test lead sa source S, at ang black test lead sa drain D. Magdagdag ng 1.5V power supply voltage sa MOSFET. Sa oras na ito, ang halaga ng paglaban sa pagitan ng alisan ng tubig at ang pinagmulan ay ipinahiwatig ng karayom ​​ng metro. Pagkatapos ay kurutin ang gate G ng junction MOSFET gamit ang iyong kamay, at idagdag ang induced voltage signal ng katawan ng tao sa gate. Sa ganitong paraan, dahil sa amplification effect ng tubo, magbabago ang drain-source voltage VDS at ang drain current Ib, iyon ay, magbabago ang paglaban sa pagitan ng drain at source. Mula dito, mapapansin na ang meter needle ay umuugoy nang malaki. Kung ang karayom ​​ng hand-held grid needle ay bahagyang umuugoy, nangangahulugan ito na ang kakayahan sa pagpapalakas ng tubo ay mahirap; kung ang karayom ​​ay umindayog nang malaki, nangangahulugan ito na ang kakayahan sa pagpapalakas ng tubo ay malaki; kung ang karayom ​​ay hindi gumagalaw, nangangahulugan ito na ang tubo ay masama.

 

Ayon sa pamamaraan sa itaas, ginagamit namin ang R×100 scale ng multimeter upang sukatin ang junction MOSFET 3DJ2F. Buksan muna ang G electrode ng tubo at sukatin ang drain-source resistance RDS upang maging 600Ω. Matapos hawakan ang G electrode gamit ang iyong kamay, ang meter needle ay umiindayog pakaliwa. Ang ipinahiwatig na paglaban ng RDS ay 12kΩ. Kung ang karayom ​​ng metro ay umindayog nang mas malaki, nangangahulugan ito na ang tubo ay mabuti. , at may mas malaking kakayahan sa amplification.

 

Mayroong ilang mga punto na dapat tandaan kapag ginagamit ang pamamaraang ito: Una, kapag sinusubukan ang MOSFET at hawak ang gate gamit ang iyong kamay, ang multimeter needle ay maaaring umindayog pakanan (bumababa ang resistensya) o sa kaliwa (tumataas ang resistensya) . Ito ay dahil sa ang katunayan na ang AC boltahe na sapilitan ng katawan ng tao ay medyo mataas, at ang iba't ibang MOSFET ay maaaring magkaroon ng iba't ibang mga punto ng pagtatrabaho kapag sinusukat sa isang hanay ng paglaban (alinman sa gumagana sa saturated zone o sa unsaturated zone). Ipinakita ng mga pagsubok na ang RDS ng karamihan sa mga tubo ay tumataas. Iyon ay, ang kamay ng relo ay umiindayog sa kaliwa; bumababa ang RDS ng ilang tubo, na nagiging sanhi ng pag-ugoy ng kamay ng relo sa kanan.

Ngunit anuman ang direksyon kung saan umiindayog ang kamay ng relo, hangga't umiindayog nang mas malaki ang kamay ng relo, nangangahulugan ito na ang tubo ay may higit na kakayahan sa pagpapalakas. Pangalawa, gumagana din ang paraang ito para sa mga MOSFET. Ngunit dapat tandaan na ang input resistance ng MOSFET ay mataas, at ang pinapayagang sapilitan na boltahe ng gate G ay hindi dapat masyadong mataas, kaya huwag direktang kurutin ang gate gamit ang iyong mga kamay. Dapat mong gamitin ang insulated handle ng screwdriver para hawakan ang gate gamit ang metal rod. , upang maiwasan ang singil na dulot ng katawan ng tao na direktang idagdag sa gate, na nagiging sanhi ng pagkasira ng gate. Pangatlo, pagkatapos ng bawat pagsukat, ang mga GS pole ay dapat na short-circuited. Ito ay dahil magkakaroon ng maliit na halaga ng singil sa GS junction capacitor, na bumubuo ng VGS boltahe. Bilang resulta, ang mga kamay ng metro ay maaaring hindi gumalaw kapag sumusukat muli. Ang tanging paraan upang ma-discharge ang singil ay i-short-circuit ang singil sa pagitan ng mga GS electrodes.

4) Gumamit ng paraan ng pagsukat ng paglaban upang matukoy ang mga walang markang MOSFET

Una, gamitin ang paraan ng pagsukat ng paglaban upang makahanap ng dalawang pin na may mga halaga ng paglaban, katulad ng pinagmulan S at ang drain D. Ang natitirang dalawang pin ay ang unang gate G1 at ang pangalawang gate G2. Isulat muna ang halaga ng paglaban sa pagitan ng source S at ng drain D na sinusukat gamit ang dalawang test lead. Ilipat ang mga test lead at sukatin muli. Isulat ang sinusukat na halaga ng paglaban. Ang isa na may mas malaking halaga ng paglaban na sinusukat nang dalawang beses ay ang itim na test lead. Ang konektadong elektrod ay ang alisan ng tubig D; ang pulang test lead ay konektado sa source na S. Ang mga S at D pole na natukoy ng pamamaraang ito ay maaari ding ma-verify sa pamamagitan ng pagtantya sa kakayahan sa pagpapalakas ng tubo. Iyon ay, ang black test lead na may malaking kakayahan sa amplification ay konektado sa D pole; ang pulang test lead ay konektado sa lupa sa 8-pole. Ang mga resulta ng pagsubok ng parehong mga pamamaraan ay dapat na pareho. Pagkatapos matukoy ang mga posisyon ng drain D at source S, i-install ang circuit ayon sa kaukulang mga posisyon ng D at S. Sa pangkalahatan, ang G1 at G2 ay magkakasunod din. Tinutukoy nito ang mga posisyon ng dalawang gate G1 at G2. Tinutukoy nito ang pagkakasunud-sunod ng mga D, S, G1, at G2 pin.

5) Gamitin ang pagbabago sa halaga ng reverse resistance upang matukoy ang laki ng transconductance

Kapag sinusukat ang transconductance performance ng VMOSN channel enhancement MOSFET, maaari mong gamitin ang pulang test lead para ikonekta ang source S at ang black test lead sa drain D. Ito ay katumbas ng pagdaragdag ng reverse voltage sa pagitan ng source at drain. Sa oras na ito, ang gate ay bukas na circuit, at ang reverse resistance na halaga ng tubo ay napaka-unstable. Piliin ang hanay ng ohm ng multimeter hanggang sa hanay ng mataas na pagtutol na R×10kΩ. Sa oras na ito, ang boltahe sa metro ay mas mataas. Kapag hinawakan mo ang grid G ​​gamit ang iyong kamay, makikita mo na ang reverse resistance value ng tubo ay nagbabago nang malaki. Kung mas malaki ang pagbabago, mas mataas ang halaga ng transconductance ng tubo; kung ang transconductance ng tubo sa ilalim ng pagsubok ay napakaliit, gamitin ang paraang ito upang sukatin Kapag , ang reverse resistance ay bahagyang nagbabago.

 

Mga pag-iingat sa paggamit ng MOSFET

1) Upang ligtas na magamit ang MOSFET, ang limitasyon ng mga halaga ng mga parameter tulad ng nawala na kapangyarihan ng tubo, ang maximum na boltahe ng drain-source, ang maximum na boltahe ng gate-source, at ang maximum na kasalukuyang ay hindi maaaring lumampas sa disenyo ng circuit.

2) Kapag gumagamit ng iba't ibang uri ng MOSFET, dapat silang konektado sa circuit sa mahigpit na alinsunod sa kinakailangang bias, at dapat na obserbahan ang polarity ng MOSFET bias. Halimbawa, mayroong PN junction sa pagitan ng gate source at drain ng isang junction MOSFET, at ang gate ng isang N-channel tube ay hindi maaaring maging positibong bias; ang gate ng isang P-channel tube ay hindi maaaring maging negatibong bias, atbp.

3) Dahil ang input impedance ng MOSFET ay napakataas, ang mga pin ay dapat na short-circuited sa panahon ng transportasyon at pag-iimbak, at dapat na nakabalot sa metal shielding upang maiwasan ang panlabas na sapilitan na potensyal mula sa pagkasira ng gate. Sa partikular, pakitandaan na ang MOSFET ay hindi maaaring ilagay sa isang plastic box. Pinakamabuting iimbak ito sa isang metal na kahon. Kasabay nito, bigyang-pansin ang pagpapanatili ng moisture-proof ng tubo.

4) Upang maiwasan ang pagkasira ng MOSFET gate inductive, ang lahat ng mga instrumento sa pagsubok, mga workbench, mga soldering iron, at mga sirkito mismo ay dapat na maayos na pinagbabatayan; kapag naghihinang ng mga pin, maghinang muna ang pinagmulan; bago kumonekta sa circuit, ang tubo Ang lahat ng mga dulo ng lead ay dapat na short-circuited sa isa't isa, at ang short-circuiting na materyal ay dapat alisin pagkatapos makumpleto ang hinang; kapag inaalis ang tubo mula sa rack ng bahagi, dapat gamitin ang mga naaangkop na pamamaraan upang matiyak na ang katawan ng tao ay naka-ground, tulad ng paggamit ng grounding ring; siyempre, kung advanced Ang isang gas-heated soldering iron ay mas maginhawa para sa welding MOSFET at sinisiguro ang kaligtasan; ang tubo ay hindi dapat ipasok o bunutin sa circuit bago patayin ang kuryente. Ang mga hakbang sa kaligtasan sa itaas ay dapat bigyang pansin kapag gumagamit ng MOSFET.

5) Kapag nag-i-install ng MOSFET, bigyang-pansin ang posisyon ng pag-install at subukang maiwasan ang pagiging malapit sa elemento ng pag-init; upang maiwasan ang panginginig ng boses ng pipe fittings, ito ay kinakailangan upang higpitan ang tube shell; kapag ang mga lead ng pin ay nakabaluktot, dapat silang 5 mm na mas malaki kaysa sa sukat ng ugat upang matiyak na ang Iwasang baluktot ang mga pin at magdulot ng pagtagas ng hangin.

Para sa mga power MOSFET, kinakailangan ang mahusay na mga kondisyon sa pag-alis ng init. Dahil ang mga power MOSFET ay ginagamit sa ilalim ng mataas na kondisyon ng pagkarga, ang sapat na mga heat sink ay dapat na idinisenyo upang matiyak na ang temperatura ng kaso ay hindi lalampas sa na-rate na halaga upang ang aparato ay maaaring gumana nang matatag at mapagkakatiwalaan sa mahabang panahon.

Sa madaling salita, upang matiyak ang ligtas na paggamit ng mga MOSFET, maraming mga bagay na dapat bigyang pansin, at mayroon ding iba't ibang mga hakbang sa kaligtasan na dapat gawin. Ang karamihan ng mga propesyonal at teknikal na tauhan, lalo na ang karamihan ng mga mahilig sa elektroniko, ay dapat magpatuloy batay sa kanilang aktwal na sitwasyon at gumawa ng mga Praktikal na paraan upang gamitin ang mga MOSFET nang ligtas at epektibo.